霍尔效应传感器的原理与诊断-为龙.ppt

霍尔效应 霍尔效应Hall Effect是一种磁电效应，是一种现象，是德国物理学家霍尔1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。根据霍尔效应，人们用半导体材料制成霍尔元件，它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点，因此，在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用 ，通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数 霍尔效应的本质 固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之比就是电阻率。 观察霍尔效应的原理 如果电流流过一个导体，而且在与电流垂直的方向，有一个磁场(磁通量)穿过导体，带电粒子就会漂移到矩形薄片的边缘，并聚集在边缘表面。磁通量在导体上施加一个力，这个力使电压(正向)向一边漂移，电子(负向力)向另一边漂移。施加于电流中的力称为洛伦茨力。 　　磁场力作用在导体上时，载流子在另一侧，在导体中建立一个电压降。这个电压差就是霍尔电压。霍尔电压与流过的电流、磁场强度以及导体材料成比例。如果这三个变量中的任何一个发生变化，导体中的电压差就会改变。这就是为什么霍尔元件必须有一个调节电压作用于电路。如果电流可以调节，而且给定导体的材料，剩余的唯一事情是改变磁场强度。磁场强度与电路改变90°角时，导体中的电压降也在改变。磁通量越强，导体中的电压降就越大。  在汽车工业中的应用 这项技术应用于现代汽车的许多系统，包括动力、车身控制、牵引力控制以及防抱死制动系统。为了满足不同的系统，霍尔效应传感器有开关式、模拟式和数字式3种型式。霍尔效应传感器是触发传感器，传感器没有直接接触，而是使用一个磁场激活电子单元。 霍尔效应传感器可以采用金属和半导体等制成，效应质量的改变取决于导体的材料，材料会直接影响流过传感器的正离子和电子。制造霍尔元件时，汽车工业通常使用3种半导体材料，即砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)以及砷化铟(InAs)。最常用的半导体材料是砷化铟。正如霍尔博士的经验，导体是薄片矩形，这很重要，这样就会允许载流子流过，以便分散并聚集在边缘。  最适合于霍尔元件的放大器是微分放大器 这种放大器只放大正负极输入之间的电位差。如果正负极输入与放大器之间没有电压差，放大器就没有输出电压。然而，如果有电压差，这个电压差将会被线性放大。  齿轮式霍尔效应传感器工作原理分析 霍尔元件直接与微分放大器连接。以便放大器能够反映霍尔元件的性能。霍尔元件中没有磁场时，就没有霍尔电压产生。放大器不输出电压。一个磁场作用于霍尔元件时，元件中产生霍尔电压，微分放大器监测并放大这个电压差。、、 　　霍尔效应传感器的型式决定了放大电路的不同，其输出要适应所控制的装置。这个输出可能是模拟式，如加速位置传感器或节气门位置传感器，也可能是数字式。如曲轴或凸轮轴位置传感器。 我们看看这些霍尔传感器的不同配置 1、霍尔元件用于模拟式传感器时，这个传感器可以用于空调系统中的温度表或动力控制系统中的节气门位置传感器。霍尔元件与微分放大器连接，放大器与NPN晶体管连接(如图4所示)。磁铁固定在旋转轴上，轴在旋转时，瞿尔元件上的磁场加强。其产生的霍尔电压与磁场强度成比例。  2、如果节气门轴由PCM监测，磁场也随着节气门轴旋转。发动机怠速运转时，节气门应该关闭。此时。磁场强度低，产生的霍尔电压应该也低。微分放大器会有一个小的电位差。放大器输出应该较低。NPN晶体管的基极将会收到放大器的输出。 　　 　　因为基极电压低，NPN晶体管的放大也低。在这种情况下，节气门位置传感器的输出电压应该是1v的指令。当发动机带负荷运转时，节气门轴旋转打开节气门。当节气门轴旋转时，霍尔元件上的磁场加强。其产生的霍尔电压与磁场强度成正比。霍尔电压增加时，微分放大器收到它的电位差，随后放大器放大这个差值。这个增加的输出被传送到NPN晶体管的基极，接着基极放大这个信号，产生节气门位置传感器的输出。这个线性输出与节气门轴的旋转成正比。  3、节气门位置传感器的输出被传送到PCM，在那里报告节气门轴的角度。PCM的微处理器不能直接阅读来自节气门位置传感器的模拟电压，这个信号必须被转换成二进制，即许多1和0。要完成这项工作。需要使用一种称为模拟数字(A/D)转换器的装置。多数情况下使用8位A/D转换器。这种装置把一个电压电平转换成一系列的1和0。这样微处理器就可以解码，并且知道节气门轴的实际角度 。 当霍尔元