高职 电子信息专业 模拟电子技术课件 第一章 半导体二极管及其应用.pptVIP

2.二极管的表示方法 2 A P 9 9： 用数字代表同类型器件的不同型号. P: 用字母代表器件的类型，P代表普通管. A: 用字母代表器件的材料，A代表N型GeB代表P型Ge，C代表N型Si，D代表N型Si 2: 2代表二极管，3代表三极管. 1.2.2二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 式中IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。 (1) 正向特性 当V＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 (2) 反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。 1.2.3 温度对二极管特性的影响 1.2.4 二极管的主要参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。 1.3 特殊二极管 1.3.1 稳压二极管的特性及应用 1.3.2 发光二极管 1.3.1 稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。 稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。 稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如下图所示。 (1) 稳定电压 (2)动态电阻rZ (3)最大耗散功率 (4)最大稳定工作电流IZMAX 和最小稳定工作电流IZMIN (5)稳定电压温度系数 1.3.2 发光二极管 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。 常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。 发光二极管的反向击穿电压约5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过管子的电流。 流电阻R可用下式计算： R＝（E－UF）／IF 式中E为电源电压，UF为LED的正向压降，IF为LED的一般工作电流。 发光二极管的两根引线中较长的一根为正极，应按电源正极。有的发光二极管的两根引线一样长，但管壳上有一凸起的小舌，靠近小舌的引线是正极。 与小白炽灯泡和氖灯相比，发光二极管的特点是： 工作电压很低； 工作电流很小； 抗冲击和抗震性能好，可靠性高，寿命长； 通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。 模拟电子技术 第一章 半导体二极管及其应用 第1章 半导体二极管及其应用 初步认识半导体二极管 1.1 半导体二极管 1.2 特殊二极管 1.3 1.1 初步认识半导体二极管 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN节及其单向导电性 1.1.1本征半导体 根据物体导电能力（电阻率）的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3～10-9 ??cm。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 1．本征半导体 本征半导体是化学成分纯净的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 2．电子空穴对 本征激发：当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。 空穴 电子空穴对 复合 3．空穴的移动 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相