详解补充讲座 半导体器件及与非门.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 输入端全部接高电平（3.6V）或悬空 结论：电路输 出为低电平 0.3V(F=0)，符 合与非门“全1 出0”的逻辑关系。 TTL与非门的典型电路及工作原理 输入端全部接高电平（3.6V）或悬空 Uc2=UCES2+Ub5=0.3+ 0.7=1V Ub4=Ue3=Uc2-Ube3=1-0.7=0.3V Ue4=UCES5=0.3V TTL与非门的典型电路及工作原理 输入端全部接高电平（3.6V）或悬空 Uc2=UCES2+Ub5=0.3 +0.7=1V Ub4=Ue3=Uc2-Ube3=1-0.7=0.3V Ue4=UCES5=0.3V TTL与非门的典型电路及工作原理 输入端有低电平0.3V输入，V5管截止（与非门关门）， 输出为3.6V高电平。 输入端全为3.6V高电平，V5管饱和导通（与非门开门） ，输出为0.3V低电平。 小结：TTL与非门的典型电路及工作原理 * 半导体基本知识（杂质半导体和PN结） 半导体二极管（特性及其应用） 双极性三极管（特性及其电流放大作用） 场效应管（特性及其电压控制作用） * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电流分配与控制 IEN =ICN+IBN VBB VCC IE =IC+IB 晶体管一旦制成，从e区发射的电子到达C区的比例也就定了，此比例称为电流放大系数。 将IC与IB的比值定义为共射直流电流放大系数 ，将变化量ΔIC与ΔIB的比值定义为共射交流电流放大系数β。即 三极管的电流放大系数 一般情况下， ≈β，故可得： IE=IB+IC=IB+βIB=(1+β)IB 把IC与IE的比值定义为共基极直流电流放大系数 ；把变量ΔIC与ΔIE的比值定义为共基极交流电流放大系数α。即 一般情况下， ，则 所以 电流放大系数 电流放大系数 在忽略ICBO情况下， IC 、 IE 和IB之间的关系可近似表示为： 因为e结正向电压，所以由PN结的正向特性可知： BJT的b、e极之间只要有较小的变化量ΔUBE，就可产生较大的ΔIB； 通过BJT的电流放大，又可引起更大的ΔIC，而ΔIC流过集电极负载电阻Rc后； 在其两端产生的电压ΔUCE(对直流电源UCC而言，其变化量为零)，将会比ΔUBE大很多倍； BJT的电流放大就被转换为电压放大的形式了。 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 3.3.2 半导体三极管特性曲线 输入特性曲线IB=f(UBE)|UCE=常数 输出特性曲线IC=f(UCE)|IB=常数 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.8V,锗管UBE?0.1~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 3.3.2 半导体三极管特性曲线 （3）有一门限电压──晶体管开始导通时的基极电压（硅管0.7V，锗管0.2V）。 （4）晶体管正常工作时，发射结的压降变化不大（硅管0.7V，锗管0.2V）。 （5）输入特性是非线性的。 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 输入特性曲线的特点： （1）UCE=0，相当于两个二极管并联运用。 （2）UCE≠0时，整个曲线往右移。当UCE＞=1V后，曲线几乎重合。 3.3.2 半导体三极管特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 60?A IB=0 20?A 40?A 80?A 100?A 2、输出特性 3.3.2 半导体三极管特性曲线 输出特性曲线的特点 （1）当IB=0时，IC≠0。 （2）UCE=0时，IC=0。发射区注入到基区的电子不能被集电区所收集。当UCE＜1V，UCE↑→IC↑。 （3）UCE1V以后，随着UCE的增加，IC几乎不变。曲线几乎平行等距。并且IB越大，曲线越往上移。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3.3.2 半导体三极管特性曲线 ★放大区：发射结正偏，集电结反偏。曲线平行等距，曲线的疏密反映了β的大小。β=ΔIC/ΔIB，IC受IB控制。 ★截止区：发射结反偏，集电结反偏。IC≠βIB，此时VBE0.5v IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0