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* * 7 俄歇电子能谱 (Auger Electron Spectroscopy, AES) 1926年法国物理学俄歇提出，当一个原子的内层电子被激发电离后，此原子处于激发态，它可以有两种途径松弛至较低能量状态： 发射一个特征X 光子； 或者原子中的较外层电子跃迁到内层的空位上，同时由于跃迁能量的作用把某一外层电子发射出去。 1. 引言 这后一种非辐射跃迁被称为俄歇跃迁，所发射的电子称为俄歇电子。 2. 基本原理 (1) 俄歇跃迁 X-ray and high energy electron bombardment of atom can create core hole. Core hole will eventually decay via either (i) photon emission (X-ray fluorescence -XRF) more likely for deep core hole (high BE), high Z elements or (ii) radiationless internal rearrangement (Auger process) more likely for shallow core hole (low BE) low Z elements (almost exclusively for Z15) 俄歇电子的动能(即特征能量)只与W、X和Y能量级有关，而与激发初始空穴的入射粒子能量无关。因此，特征能量是元素原子的指纹。 Auger process is a three electron process and leaves atom doubly-ionized 俄歇效应早期用X光激发，因此空穴能级、填充电子能级和发射电子的俄歇电子能级沿用X射线能级标记K，L，M……等作为俄歇过程的标记。俄歇谱线KL2M3表示初始空穴为K壳层、L2壳层电子与K空穴复合，其能量转移给M3壳层电子，后者作为俄歇电子发射。 从原子序数为Z的固体原子中产生的WXY俄歇电子的动能，可以用经验公式来估算，即 ? EWXY(Z)=EW(Z) - EX(Z) - EY(Z+?) -?A ? 式中 ?A 是分析器物质的功函数，Z是原子序数。结合能的大小可以由X射线辐射能量表查得。引入 ? 项是因为最终双电离态的能量略高于同能级的两个单电离态能量的总和，? 的实验值在1/2和3/4之间。 In theory, can work out approximate KE of each Auger electron from tables. Core hole ionization of 1s electron BE in O = 532 eV (EW) BE of 2p1/2 electron in O = 24 eV (EX) BE of 2p3/2 electron in O = 7 eV (EY) Auger electron KE (EWXY) in O = 532 - 24 - 7 ? 501 eV Example: Sometimes BE is scaled to a value between Z (O) and (Z+1) (F) to account for relaxation effects KE ? EW( Z ) - EX(Z +0.5) - EY(Z + 0.5) - ? EWXY ? 532 -27.5 - 8 = 496.5 eV 由于初始的电离是非选择的，空穴可以在各种壳层，因此对于给定的元素将会有许多可能的俄歇跃迁，一些弱，一些强。AES基于测量发射电子的动能。试样中的每个元素在不同的能量有特征峰谱。 这是一个金属Pd的俄歇谱。用2.5keV 电子束产生初始空穴，从而激发俄歇电子发射。Pd 的主要峰出现在220-340 eV 之间。峰在一个高背底上，背底起源于非弹性散射过程产生的二次电子。 俄歇电子产生需要两步：第一步是产生一个空穴；第二步是通过弛豫产生一个俄歇电子。 通过第一步产生一个空穴的概率（横切面积 ? ） (2)俄歇发射的概率 EP是入射电子能量，EW是空穴的结合能，C是一个常数， ? ? 10-3 –10-4 在W能级产生一个空穴需要很多电子。 在 EP/EW ? 3, 产生一个空穴的概率（横切面积 ? ) 达到最大值。 在产生W空穴后，俄歇发射的概率(?A)与发射X光(?X)竞争。低 Z 元素，俄歇发射占优势。 (3)背散射电子和二次电子 阻滞的俄歇电子, 俄歇峰, 二次电子, 阻滞的初生电子, 损失峰, 弹性峰 示意的俄歇谱 俄歇电子服入“普适曲线” (Universal