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ISE TCAD使用简介
器件模拟集成化工具
ISE TCAD 使用简介
池雅庆
yqchi@nudt.edu.cn
1．ISE TCAD部署与运行方法1
2 ．器件描述：mdraw6
2 ．1 启动6
2 ．2 构造二维剖面图8
2 ．3 掺杂 15
2 ．4 产生网格与调整设计20
3 ．器件模拟：Dessis 24
3 ．1 模拟输入文件24
3 ．2 模拟过程27
4 ．可视化28
4 ．1 曲线可视化：Inspect 29
4 ．2 分布可视化：Picasso 31
1．ISE TCAD 部署与运行方法
部署：
1．安装 EXCEED Xserver for win32 ；
2 ．拷贝文件夹“ISE ”到C 盘根目录下；
3 ．拷贝文件夹“ISE_DATA ”到E 盘根目录下；
4 ．添加系统环境变量如下（或确保系统环境变量中有如下内容，参照环境变量.txt）：
Path 项中添加：%TEC80HOME%\BIN;C:\ISE\bin
新建项：
ISEDB E:\ISE_DATA
ISERELEASE 7.0
ISEROOT C:\ISE
TEC80HOME C:\ISE\TEC80
FP_NO_HOST_CHECK NO
DISPLAY 此电脑的计算机名:0.0
（点“我的电脑”的“属性”中“计算机名”，即可看到计算机名）
5 ．导入文件夹“破解”中所有注册表信息（双击即可导入）。
运行（后面以一个例子来说明使用方法，该例子计算一个VDMOS 器件的阈值电压）：
1．启动exceed ；
2 ．启动C:\ISE\BIN\GENESISEe，也可为其添加一个快捷方式。
3 ．启动后，出现窗口如图 1 或图 2 ：
图 1 GENESISe 窗口 1
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图2 GENESISe 窗口 2
4 ．打开 ISE Projects 窗口（双击“Projects ”图标，左上角），在左边树状图中右键
点击 Example_Library_7.0.lnk——Applications——DMOS －Vt ，左键点击“duplicate”
（如图3 所示），弹出窗口如图 4 所示，点击“Yes All ”，“Vt
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