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VLSI设计导论 幻灯片
VLSI设计导论 清华大学计算机系软件所 第一章 概论 第一节 引 言 信息产业值占国民经济总值的40%~60% 微电子工业是国民经济信息化的基石 集成电路是微电子技术的核心 如果以单位质量的“钢”对国民生产总值的贡献为1来计算，则小轿车为5，彩电为30，计算机为1000，而集成电路则高达2000。 集成电路工艺的发展特点 Moore’s Law and Future IC Technologies 工艺特征尺寸 单个芯片上的晶体管数 芯片面积 电源电压 金属布线层数 时钟频率 器件及互连线延迟 * * 课程介绍 教师：蔡懿慈 软件所设计自动化 助教博士生：刘 毅 1#——533 教材：《VLSI设计导论》沈绪榜 杜 敏 编著 高教出版社出版 要求：作业30%，上机30%，考试40% 参考书： 1、《Introduction to VLSI System》 Mead Conway 2、《超大规模集成电路系统和电路的设计原理》 高德远 康继昌 编著 信息系统的集成可分为三个层次：工程层次、电子系统层次和电路层次。 工程层次：如国家信息高速公路等牵动着各种电子系统的开发。 电子系统层次：即为大型信息工程提供设备，又是电路制造商瞄准的主要市场。 电路层次：主要是微电子产品的开发。 一、集成电路的发展 自从1958年集成电路诞生以来，经历了小规模（SSI）、中规模（MSI）、大规模（LSI）的发展过程，目前已进入超大规模（VLSI）和甚大规模集成电路（ULSI）阶段，是一个“system on a chip”（SOC)的时代。 第一代16位的8086芯片中，共容纳了约2.8万个晶体管。32位以上的586级计算机微处理器，如“奔腾”芯片内的晶体管数目则高达500万以上。 目前商业化半导体芯片的线宽为0.18~0.35μm，今后发展的趋势是0.15μm甚至0.1μm以下。 九十年代以来，集成电路工艺发展非常迅速，已从亚微米(0.5到1微米)进入到深亚微米(小于0.5微米)，进而进入到超深亚微米(小于0.25微米)。其主要特点： 特征尺寸越来越小 芯片尺寸越来越大 单片上的晶体管数越来越多 时钟速度越来越快 电源电压越来越低 布线层数越来越多 I/O引线越来越多 表1 发展规划代次的指标 年份 1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012 最小线宽 0.25 0.18 0.15 0.13 0.10 0.07 0.01 (μm） DRAM容量 256M 1G 1G~4G 4G 16G 64G 256G 每片晶体管数 11 21 40 76 200 520 1400 （M） 芯片尺寸 300 440 3
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