光电信息导论3-3.pdf

光电信息导论 中山大学电子与信息工程学院 王钢 stswangg@mail.sysu.edu.cn Part II: 半导体光电子材料 1. 半导体硅材料及其应用 1.1 半导体材料发展历史 1.2 半导体材料分类 1.3 硅的材料制备 1.4 硅材料的特性 1.5 硅材料的应用 1.6 硅发光特性：多孔硅 1.1 半导体材料的发展简史 1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的上升而降 低，这是半导体现象的首次发现。 1839年，法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在 光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应， 这是被发现的半导体的第二个特征。 1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方 向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是 导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的 整流效应，也是半导体所特有的第三个特性。 1911年，半导体这个名词才被考尼白格和维斯首次使用。 1950年后，半导体材料被发现及其发展应用 第一代半导体及Si基集成电路的发展 第二代半导体GaAs （InP）及器件的发展 第三代半导体GaN 系半导体及器件的发展 1.2 半导体材料分类 元素半导体：硅（Si）、锗（Ge） 化学成分 化合物半导体：III-V族化合物、II-VI族化合物 CdS、CdTe、ZnS等 GaAs、GaN、BN 、AlN 等 第一代半导体：硅（Si）、锗（Ge） 窄禁带半导体 第二代半导体：GaAS、CdS、ZnS等 禁带宽度 宽禁带半导体 （第三代半导体） GaN、AlN 、SiC、ZnO、金刚石等 第一代半导体材料 第一代半导体材料 锗 硅 （Ge） （Si） •带隙1.1eV，较耐高温、较耐 •带隙0.7eV 辐射 • 空穴和电子迁移率高 • 自然界储量高，成本低 •与绝缘SiO2 兼容性好 • 当代Si材料、器件制备工业十 分成熟 第一代半导体材料 锗石 硅在自然界中的存在 第一代半导体以硅、锗半导体材料为主，20世纪50年代，锗 在半导体中占据主导地位，主要应用于低压、低频、中功