电工学课件。秦曾煌04.pptVIP

14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 * (a) NPN 型晶体管； 电流方向和发射结与集电结的极性 (4) 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 (b) PNP 型晶体管 3.三极管内部载流子的运动规律 IE IBE ICE ICBO 发射结正偏, 发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE , 多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB IB = IBE- ICBO ? IBE ICE与IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? (常用公式) 若IB = 0, 则 IC ? ICE0 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 即晶体管各电极电压与电流的关系曲线，是晶体管内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能,是分析放大电路的依据。 研究特性曲线目的： (1) 直观地分析管子的工作状态 (2) 合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6 ~ 0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V 3DG100晶体管的 输入特性曲线 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 共发射极电路 3DG100晶体管的输出特性曲线 在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管 的输出特性曲线是一组曲线。 晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲线分为三个工作区 3DG100晶体管的输出特性曲线 (1) 放大区 发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置， 晶体管工作于放大状态。 IC = ? IB ,具有恒流特性。 对 NPN 型管： UBE 约为 0.7V左右， UCE UBE。 2.3 1.5 Q2 Q1 大 放 区 (2) IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。 IB = 0 时, IC = ICEO(很小) 发射结和集电结均处 于反向偏置。 若忽略ICEO： IC ? 0, UCE ? UCC 对于硅管, ICEO 1?A 对于锗管, ICEO 约为 几十1?A~几百?A 截止区 在饱和区，?IB ?IC， 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 IC ? UCC/RC 。 发射结和集电结均处于正向偏置，晶体管工作于饱和状态。 跳转 在模拟放大电路中， 晶体管工作在放大状 态。在数字电路中， 晶体管工作在截止或 饱和状态。 饱和区 *