光伏组件中旁路二极管配置研究英文翻译.docVIP

光伏组件中旁路二极管配置的研究 [希尔维斯等著] 摘要：利用PSPICE软件，对部分遮挡下太阳电池组件的仿真和建模程序已经被提了出来。并且用已经建好的模型和实际的测量数据进行比较。一些研究提出，基于这种仿真模型的研究方法，已经表明旁路二极管在部分阴影遮挡下下的太阳电池光伏组件以及光伏发电系统中应用的可能性。 关键字：旁路二极管，模拟，热斑，光伏组件： 说明 近年来，光伏组件市场份额显著增大并且有力预言了未来能源的应用趋势。太阳电池费用的降低以及太阳电池模块化的应用是太阳电池大规模应用的最主要原因。这个原因导致太阳电池的生产厂商提供更强大的光伏模组，集成更大尺寸的太阳电池板，对建筑一体化进行特殊设计或构成部分跟踪系统。这些网格连接光伏系统安装在建筑物屋顶外立面或城市环境使得它们经常会受到部分阴影遮挡的影响。 光伏组件输出功率的减小归于很多因素，但是其中最主要的，可能是电池失配以及阴影遮挡。大部分的生产厂家为了防止在局部阴影遮挡下工作的太阳电池组件产生热斑效应在光伏模组中都增加了旁路二极管。在太阳电池串联组件中，由于电池失配或受到阴影遮挡，它就会作为负载消耗功率导致电池发热，形成热斑。处于热斑状态下的电池，它损耗的功率一旦超过它能维持的限度，就会造成电池完全损毁。而旁路二极管对有效防止热斑有重要的作用。本文为研究光伏组件中旁路二极管的不同配置情况提出了一个模拟方法论。 模型以及仿真程序 在有无光照的情况下，考虑到电池元的物理特性，对太阳电池电学特性的研究往往用的是单二极管模型。考虑到空间电荷区的复合,为了跟好的研究太阳电池的电学特性，提出了更加精细的双二极管模型。处在反向偏压下的电池片，必须考虑到雪崩击穿[1~2]效应。这对部分遮挡下的光伏电池的研究是很重要的，他形成了光伏模块的一部分。 尽管太阳电池还有其他的模型[3~5]，但是在阴影遮挡情况下Bishop的模型[2]有应用最广的。然而，这些工作仅仅是在停留在模型级别的研究上，并没有阴影对整个光伏阵列的影响。提出的方程将雪崩击穿的效应作为影响分流的一个非线性乘法因子，方程如下： (1) 其中：I0—二极管反向饱和电流； m—二极管理想因子； Vb—雪崩击穿电压； Vt —二极管正向电压； a，b—常数； Rs,Rp—串联电阻和并联电阻 太阳电池可用P-N结二极管，恒流源，太阳电池电机等引起的串联电阻和考虑到泄露电流的并联电阻组成的电路。 (2) 结合双二极管经典模型和Bishop公式可知部分阴影遮挡下太阳电池输出特性如下： (3) 图1太阳电池等效电路 由（3）式可以得出太阳电池等效电路如右图所示 对光伏组件模型工作在部分遮挡情况下的研究已经提出很多模型[4~9]。但有些没有考虑在非均匀的光伏阵列[4~6]的I-V及P-V曲线如右图所示曲线中常存在的到最大峰值 以及台阶效应，有些研究没有考虑到旁路二极管的影响，还有些没有考虑到方向工作情况[7~9]。 上述所有的模型包括Bishop上述所有的模型,在Pspice软件仿真环境[10~11]比到其他仿真工具Matlab[6~9]容易实现，Pspice软件已经成功使用模型和模拟光伏设备和系统在实时条件[11~13]的工作，现在对大多数电气和电子工程师已经是一个标准的模拟器。利用Pspice软件的另一个原因是接口的匹配的可能性，PV模块模型存在于不同的Pspice软件模型中，如PV系统中电池、充电监管者,直流/直流电压转换器和逆变器[11~13] 。我们已经选择了这个仿真环境，通过公式(3)再现太阳电池工作情况，并且研究构成光伏组件一部分的旁路二极管不同配置情况。高级的模拟程序，已经可以模拟有阴影遮挡下的太阳阵列的输出特性，给出有无旁路二极管的情况下，功率损失以及最大功率跟踪的情况。根据以上模型，下图2是一个仿真模拟的例子。 在T=250C； 光照强度=450,750，1000W/m2; 根据公式3给出 等效电路如图1，电学参数为： D1: m1=1; I01=1.26×10-9A; D2:m2=2; I02=2.53×10-6A; Rs=1mΩ； R p=1mΩ Vb=-15V， a=2×10-3； β=3 光生电流取决于光照强度，温度，太阳电池面积，和短路电流密度 S= 126.6m2，Isc=mA/m2； 介绍了太阳能电池模型很容易扩展到一个PV模块模型。在Pspice软件环境下以太阳能电池模型作为子电路的，光伏模型可以定义为连接的一定数量的子电 图2 仿真图像 路的串联和并联,相当于一定数量的相关太阳电池元通过串联和并联组成光伏模块。太阳能电池参数,辐照度和温度水平可以完全由单独的由每一个太阳能电池的光伏模块控制。太阳电池工作在没有光照的情况下时，在击穿电压和