GaN基LED图形衬底的性能研究-无机材料学报.PDFVIP

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2017-11-04 发布于天津
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GaN基LED图形衬底的性能研究-无机材料学报

第 28 卷第 8 期无机材料学报 Vol. 28 No. 8 2013 年 8 月 Journal of Inorganic Materials Aug. , 2013 文章编号: 1000-324X(2013)08-0869-06 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2013.12550 GaN 基 LED 图形衬底的性能研究 1 1 1 1 1 1 2 李程程 , 徐智谋 , 孙堂友 , 王智浩 , 王双保 , 张学明 , 彭静 (1. 华中科技大学光学与电子信息学院, 武汉 430074; 2. 武汉科技大学理学院, 武汉430081) 摘要: 蓝宝石图形衬底可以降低外延位错密度并增强背散射光, 已经成为制备高亮 LED 有效技术手段。本研究运用时域有限差分(FDTD)法模拟和比较了 GaN 基微纳米图形衬底 LED 几种衬底图形结构对光的提取效率的影响。模拟结果显示纳米图形衬底(NPSS)对光效的提高明显优于微米图形衬底(MPSS) 。在对圆柱、圆孔、圆台、圆锥和曲面锥等纳米结构的研究中, 圆台柱结构的纳米图形衬底对光提取效果最好。通过进一步模拟优化, 得到圆台结构的最佳参数, 此时相对于普通衬底 LED 光的提取效率提高了 96.6% 。试验中, 采用软模压印技术在蓝宝石基片上大面积制备出纳米圆台图形衬底, 并测得外延生长 GaN 层后的外延片的 PL 强度增加了 8 倍, 可见纳米图形衬底对提高 LED 的出光效率有显著效果。关键词: GaN 基 LED; FDTD; 图形衬底; 纳米压印中图分类号: TB34 文献标识码: A Research for Patterned Sapphire Substrates of GaN-based LEDs 1 1 1 1 1 LI Cheng-Cheng , XU Zhi-Mou , SUN Tang-You , WANG Zhi-Hao , WANG Shuang-Bao , 1 2 ZHANG Xue-Ming , PENG Jing (1. School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China; 2. College of Sciences, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, China)