PDP选址驱动芯片高压管设计-东南大学学报.PDFVIP

第 卷第 期 ３３ ２ 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ３３Ｎｏ２ 年 月 ２００３ ３ （ ） Ｍａｒ．２００３ ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ  ＰＤＰ选址驱动芯片高压管设计 吴建辉 孙伟锋 陆生礼 （东南大学ＡＳＩＣ工程技术研究中心，南京 ２１００９６） 摘要： 选址驱动芯片实现低压控制高压输出，其中高压管的设计是关键，文中提出了能与低 ＰＤＰ 压ＣＭＯＳ工艺相兼容的高压管ＨＶＣＭＯＳ结构及其中的高低压转换电路，采用ＴＳＵＰＲＥＭ４与 ＭＥＤＩＣＩ软件对其击穿特性进行了相应的模拟分析；通过对已流水的芯片中的高压管进行分析验 证看出该结构击穿电压大于８０Ｖ，工作电流大于４０ｍＡ． 关键词：等离子体平板显示；击穿；高压管；版图 中图分类号： ； 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ７１０ ＴＮ４３２ Ａ １００１－０５０５２００３０２０１３４０４ ＤｅｓｉｇｎｏｆｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｆｏｒＰＤＰｄａｔａｄｒｉｖｅｒ ＷｕＪｉａｎｈｕｉ ＳｕｎＷｅｉｆｅｎｇ ＬｕＳｈｅｎｇｌｉ （ ， ， ， ） ＮａｔｉｏｎａｌＡＳＩＣＳｙｓｔｅｍＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＮａｎｊｉｎｇ２１００９６ Ｃｈｉｎａ ： ， Ａｂｓｔｒａｃｔ ＰＤＰｄａｔａｄｒｉｖｅｒａｃｃｏｍｐｌｉｓｈｅｓｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅｏｕｔｐｕｔｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄｂｙｌｏｗｖｏｌｔａｇｅｓｉｇｎａｌｉｎｔｈｅｃｈｉｐ （ ） ｔｈｅｋｅｙｉｓｔｈｅｄｅｓｉｇｎｏｆｔｈｅｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ．ＡｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅＣＭＯＳＨＶＣＭＯＳｂｅｉｎｇｃｏｍｐａｔｉｂｌｅｗｉｔｈ ＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓａｎｄｔｈｅｃｏｎｖｅｒｔｃｉｒｃｕｉｔｏｆｖｏｌｔａｇｅｈａｖｅｂｅｅｎｄｅｓｉｇｎｅｄ．ＴｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃａｂｏｕｔｔｈｅＨＶＣＭＯＳ ｂｒｅａｋｄｏｗｎｉｓａｎａｌｙｚｅｄｂｙｓｉｍｕｌａｔｉｎｇｗｉｔｈＴＳＵＰＲＥＭ４ａｎｄＭＥＤＩＣＩ．ＴｈｅａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅＨＶＣＭＯＳｉｎｔｈｅ ａｐｐｒｏａｃｈｅｄｃｈｉｐｈａｓｂｅｅｎｄｏｎｅａｎｄｉｔｓｈｏｗｓｔｈａｔｔｈｅｂｒｅａｋｄｏｗｎｖｏｌｔａｇｅｏｆｔｈｅｄｅｓｉｇｎｅｄＨＶｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｉｓ ｈｉｇｈｅｒｔｈａｎ８０Ｖａｎｄｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｉｓｍｏｒｅｔｈａｎ４０ｍＡ． ： ； ； ； Ｋｅｙｗｏｒｄｓ ｐｌａｓｍａｄｉｓｐｌａｙｐａｎｅｌｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ ｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｌａｙｏｕｔ 等离子体显示屏（ ， ）是 用 本文从国内芯片制作工艺出发，设计出一种能与 ｐｌａｓｍａｄｉｓｐｌａｙｐａｎｅｌＰＤＰ ． 利用气体放电产生真空紫外线激发荧光粉进行发光 低压ＣＭＯＳ相兼容