PbZr03Tio7O3热释电薄膜材料研究.PDFVIP

第24卷第6期 红外与毫米波学报 Vo1．24，No．6 2005年12月 J．Infrared Millim．Waves December，2005 文章编号：1001-9014(2005)06—0405—04 Pb(Zr0．3 Tio．7)O3热释电薄膜材料研究 钟朝位 ， 汪红兵 ， 彭家根 。， 张树入 ，张万里 (I．电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都 610054； 2．四川压电与声光技术研究所，重庆 400060； 3．中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳 621900) 摘要：利用射频磁控溅射法对0．8Pb(Zr0 3Ti )O3+0．2PbO的陶瓷靶进行溅射，在5英寸的TiO ／Pt／Ti／SiO ／Si基片 上制备出了PZT薄膜．实验表明，PZT薄膜的取向由(111)到(100)的改变可以通过精确控制基片温度来实现．(111) 取向的薄膜具有良好的介电、铁电和热释电性能，其剩余极化强度、介电常数、介电损耗、矫顽场和热释电系数分别为 201xC／cm ，370，1．5％，130kV／cm和1．1×10 C／cm K，该薄膜可望在非制冷红外焦平面探测器阵列中得到应用． 关 键 词：PZT薄膜；射频磁控溅射；非制冷红外焦平面；探测器阵列 中图分类号：TB39；0484 文献标识码：A INVESTIGATION oN Pb(Zro．3 Tio．7)O3 PYRoELECTRIC THIN FILM MATERIALS ZHONG Chao．Wei ， WANG Hong．Bing ， PENG Jia．Gen ’ ， ZHANG Shu．Ren ， ZHANG Wang．Li (1．School of Microelectronics and Solid State Electronics，University of Electronic Science and Technology of China， Chengdu 610054，China； 2．Sichuan Institute of Piezoelectric and Acoustooptic Technology，Chongqing 400060，China； 3．Institution of Electronic Engineering，China Academy of Engineering Physics，Mianyang 62 1900，China) Abstract：Lead zireonate titanate thin films were successfully prepared on 5-inch TiO ／Pt／Ti／SiO2／Si substrates by RF- Magnetron Sputtering method．The experimental results show that the orientation of PZT thin films can be changed from (1 1 1)to(100)by precisely controlling the substrate temperature．The(1 1 1)一oriented films with thickness of 500nm have the remanent polarization of 201xC／cm ，dielectric constant of 370，dielectric loss of 1．5％ ，coercive field of 130kV／cm and pyroelectric coefficient of 1．1×10一。C／cm K ． The