单晶SiC基片的集群磁流变平面抛光加工-中国机械工程.PDFVIP

单晶 基片的集群磁流变平面抛光加工———潘继生 阎秋生 徐西鹏等 SiC 暋 暋 单单晶SiC基片的集群磁流变平面抛光加工 1 1 2 1 1 1 潘继生 阎秋生 徐西鹏 童和平 祝江停 白振伟 暋 暋 暋 暋 暋 , , 1.广东工业大学 广州 510006 , , 2.华侨大学脆性材料加工技术教育部工程研究中心 厦门 361021 : , 摘要 基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及研制的试验装置 对单晶SiC基片进行了平面抛 。 , ; 光试验研究 研究结果表明 金刚石磨料对单晶SiC基片具有较好的抛光效果 加工间隙在 1灡4mm以 , ; , 内抛光效果较好 30min抛光能使表面粗糙度值减小87%以上 随着加工时间的延长 表面粗糙度越来 , , , 。 越小 加工30min时粗糙度减小率达到86灡54% 继续延长加工时间 加工表面粗糙度趋向稳定 通过 ( ) , 优化工艺参数对直径为50灡8mm 2英寸 6H单晶SiC进行了集群磁流变平面抛光 并用原子力显微镜 , , 观察了试件加工前后的三维形貌和表面粗糙度 发现经过 加工 表面粗糙度 从 减 30min Ra 72灡89nm , 。 小至 1灡9nm 说明集群磁流变效应超光滑平面抛光用于抛光单晶SiC基片可行有效且效果显著 : ; ; ; 关键词 单晶SiC集群磁流变 平面抛光 表面粗糙度 中图分类号: ; : / TG749TH161暋暋暋暋暋暋DOI10.3969 .issn.1004-132X.2013.18.016 j ClusterManetorheoloicalEffectPlanePolishin onSiCSinleCrstalSlice g g g g y 1 1 2 1 1 1 PanJishen 暋YanQiushen 暋XuXien 暋Ton Hein 暋ZhuJiantin 暋BaiZhenwei g g p g g p g g g