电子技术基础 数字部分（第六版）康华光-ch03-5.pptVIP

* 3.5 TTL逻辑门电路 3.5.1 BJT的开关特性 3.5.2 TTL反相器的基本电路 3.5.3 改进型TTL门电路 3.5 TTL逻辑门 3.5.1 BJT的开关特性 iB?0，iC?0，vO=VCE?VCC，c、e极之间近似于开路。 vI=0V时: iB?iBS ，vO=VCE?0.2V，c、e极之间近似于短路。 vI=5V时: BJT相当于受vI控制的电子开关。 2. BJT的开关时间 从截止到导通 开通时间ton(=td+tr) 从导通到截止 关闭时间toff(= ts+tf) BJT饱和与截止两种状态的相 互转换需要一定的时间才能完成。 CL的充、放电过程均需经历一定 的时间，必然会增加输出电压?O波 形的上升时间和下降时间，导致基 本的BJT反相器的开关速度不高。 2. BJT的开关时间 若带电容负载 故需设计有较快开关速度的实用型TTL门电路。 输出级 T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。 中间级T2和电阻Rc2、Re2组成，从T2的集电结和发射极同时输出两个相位相反的信号，作为T3和T4输出级的驱动信号； R b1 4k W R c 2 1.6k W R c 4 130 W T 4 D T 2 T 1 + – v I T 3 + – v O 负载 R e2 1K W V CC (5V) 输入级 中间级 输出级 3.5.2 TTL反相器的基本电路 1. 电路组成 输入级T1和电阻Rb1组成。用于提高电路的开关速度 2. TTL反相器的工作原理（逻辑关系、性能改善） （1）当输入为低电平（?I = 0.2 V） T1 深度饱和,VB1=0.9V 截止 导通 导通 截止 饱和 低电平 T4 D4 T3 T2 T1 输入 高电平 输出 T2 、 T3截止，T4 、D导通 要使T2 、T3导通则要求，VB1=2.1V （2）当输入为高电平（?I = 3.6 V） T2、T3饱和导通 T1:倒置的放大状态。 T4和D截止。 使输出为低电平. vO=vC3=VCES3=0.2V 0 1 1 0 输出L 输入A 逻辑真值表 逻辑表达式 L = A 饱和 截止 T4 低电平 截止 截止 饱和 倒置工作 高电平 高电平 导通 导通 截止 饱和 低电平 输出 D4 T3 T2 T1 输入 采用肖特基势垒二极管SBD 限制BJT导通时的饱和深度。 SBD导通电压为0.4V。使BJT的c、e间正偏电压钳位在0.4V，而不进入深度饱和。 3.5.3 改进型TTL门电路-抗饱和TTL门电路 1.肖特基TTL反相器 电路如图所示。