详解模拟电子技术基础第1章 半导体4.pptVIP

D S B G N 沟道增强型场效应管 NPN 型三极管 e c b G------- b D------- c S------- e 与 NPN 三极管相似， NMOS管为电压控制器件，当 vGSVGS(th) ,NMOS 管导通（正电压控制）。 * * 模拟电子技术基础 信息科学与工程学院基础电子教研室 1. 输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE(V) 3 6 9 12 IC(mA ) IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 1 2 3 4 5 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 2. 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 发射结正偏，集电结反偏。 c e b P N N 5 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 UBE0 UCEUBE IC只与IB有关，IC=?IB。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 临界饱和线 发射结正偏，集电结正偏。 c e b P N N 输出特性三个区域的特点: 截止