半导体物理与器件1.1——第五章.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 下表所示为室温条件下硅、砷化镓以及锗单晶材料中电子、空穴的迁移率和扩散系数的典型值。 迁移率：反映载流子在电场作用下运动的难易程度 扩散系数：反映存在浓度梯度时载流子运动的难易程度 爱因斯坦关系中的系数和温度有关，载流子的迁移率也是与温度强烈相关的，所以载流子的扩散系数同样也是与温度有着非常强烈的依赖关系。 §5.4 霍尔效应 带电粒子在磁场中运动时会受到洛伦兹力的作用，利用这一特点，我们可以区别出N型半导体材料和P型半导体材料，同时还可以测量出半导体材料中多数载流子的浓度及其迁移率。 如图所示，在一块半导体材料中通入电流Ix，并将其置入磁场Bz中，这时就会在半导体材料Y方向两侧产生电场Ey， 载流子（空穴）在横向电场中受电场力作用，最终与洛仑兹力相平衡： 霍尔电压： 载粒子（空穴）的漂移速度： 故有： 测得霍尔电压后，可计算出浓度： 同样，对于N型半导体材料，其霍尔电压为负值： 一旦确定了半导体材料的掺杂类型和多数载流子的浓度之后，我们还可以计算出多数载流子在低电场下的迁移率，对于P型半导体材料，有： 同样的，对于n型材料中的电子： 在实际的霍尔测试中，需要注意： 欧姆接触的制作 衬底材料或外延材料的厚度影响 样品尺寸的影响 小结 半导体中的两种基本输运机制：漂移运动与扩散运动 半导体中载流子的散射 弱场下迁移率恒定，强场下速度饱和（107cm/s）。迁移率和温度以及电离杂质之间的关系 迁移率和电导率之间的关系 载流子扩散与扩散系数和浓度梯度成正比 扩散系数和迁移率的关系（爱因斯坦关系） 利用霍尔效应（运动载流子在磁场中的作用）可测试半导体的载流子浓度和迁移率。 本章作业题 5.1 5.7 5.23 5.26 谢 谢 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 问题：本征半导体的导电性（常温下）是否一定比掺杂半导体更差？ 其中σi是本征半导体的电导率，b=μn/μp σSi-min≈0.86σSi-I; σGaAs-min≈0.4σGaAs-I; 右图所示为N型和P型硅单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。 电阻率和杂质浓度的关系 右图所示为N型和P型锗、砷化镓以及磷化镓单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。 电阻率（电导率）同时受载流子浓度（杂质浓度）和迁移率的影响，因而电阻率和杂质浓度不是线性关系。 对于非本征半导体来说，材料的电阻率（电导率）主要和多数载流子浓度以及迁移率有关。 杂质浓度增高时，曲线严重偏离直线，主要原因： 杂质在室温下不能完全电离 迁移率随杂质浓度的增加而显著下降 由于电子和空穴的迁移率不同，因而在一定温度下，不一定本征半导体的电导率最小。 例5.2、5.3 右图所示为一块N型半导体材料中，当施主杂质的掺杂浓度ND为1E15cm-3时，半导体材料中的电子浓度及其电导率随温度的变化关系曲线。 电导率和温度的关系 从图中可见，在非本征激发为主的中等温度区间内（即大约200K至450K之间），此时杂质完全离化，即电子的浓度基本保持不变，但是由于在此温度区间内载流子的迁移率随着温度的升高而下降，因此在此温度区间内半导体材料的电导率也随着温度的升高而出现了一段下降的情形。 当温度进一步升高，则进入本征激发区，此时本征载流子的浓度随着温度的上升而迅速增加，因此电导率也随着温度的上升而迅速增加。 而当温度比较低时，则由于杂质原子的冻结效应，载流子浓度和半导体材料的电导率都随着温度的下降而不断减小。 电阻率和温度的变化关系： T ρ 低温 饱和 本征 低温下晶格振动不明显，本征载流子浓度低。电离中心散射随温度升高而减弱，载流子浓度增加，迁移率增加 杂质全部电离，载流子浓度不变；晶格振动散射起主要作用，随温度升高迁移率下降 本征区，载流子浓度随温度升高而迅速升高， 载流子的漂移速度饱和效应 前边关于迁移率的讨论一直建立在一个基础之上：弱场条件。即电场造成的漂移速度和热运动速度相比较小，从而不显著改变载流子的平均自由时间。但在强场下，载流子从电场获得的能量较多，从而其速度（动量）有较大的改变，这时，会造成平均自由时间减小，散射增强，最终导致迁移率下降，速度饱和。对于热运动的电子： 上述随机热运动能量对应于硅材料中电子的平均热运动速度为107cm/s；如果我们假设在低掺杂浓度下硅材料中电子的迁移率为μn=1350cm2/V?s，则当外加电场为75V/cm时，对应的