电子科学与技术专业英语译文[1].docVIP

2．载流子的运输现象 在这一节中，我们将会去分析各种各样的载流子运输现象。这种现象发生在电场和浓度梯度影响下半导体中的载流子运动。我们先讨论剩余载流子注入的概念。剩余载流子在非平衡条件下会增加，这就是说，载流子的浓度的乘积p*n不等于平衡时ni*ni的值。回到平衡条件下，载流子的产生和复合过程将会在后面的章节中讨论到。我们在半导体的装置运算中取得一个基本的控制方程，它包括电流密度方程和连续方程。这一节我们对高场效应作了一个简单的讨论，高场效应会导致速度饱和和碰撞电离。这一节讨论到这就结束了。P18 P16 考虑一个在热平衡条件下的为均匀施主浓度n-类型的半导体样品，如在第 1.1 节中所讨论的,在半导体导带中的传导电子，由于他们没有与特别的晶格或施主位置有关，所以基本上是自由的电子。晶格的影响是合并在一起的，电子的有效质量和电子的惯性质量有点不同。在热平衡下， 那平均传导电子的平均热能可以从平均分配定理获得，每一个自由能为1/2kT ，k是波尔兹曼常数，t是居里温度。电子在一半导体有三个自由度；他们能在三度空间的空间内活动。因此, 电子动能可以由方程（1-13）得到。Mn是电子的有效质量和Vth是平均热运动速度。在室温 (300K) 那热的速度是对于硅和砷化镓来说大约为107 cm/s。 P17 在半导体的电子因此在各个方向快速地移动 。作热的运动单一电子可以形象的当