半导体物理课件(第一章九十节).ppt

* * 半 导 体 物 理 学 金刚石结构 闪锌矿结构 纤锌矿结构 ZnO C,Si,Ge 1.9 Ⅳ族元素硅、锗的晶体都具有金刚石型结构，它们能以任意比例相互熔合， 形成 合金材料。 其晶格常数a(x)遵从Vegard 定律： X 为合金中组元Ge组分（或称为混晶比），0=x=1. 室温下， 式子（1—67） 上式表明： 合金的晶格常数a(x)与合金中的组元Ge的组分x有关， 随着Ge组分x的增加，合金的晶格常数a(x)随之增大。 半导体外延膜与衬底间的失配度有三种定义。设无应力时衬底的晶格 常数为 , 外延薄膜的晶格常数为 , 晶格失配度为： 晶格失配 在研制半导体器件时，经常需要将一种半导体材料在另一种半导体材料 （即衬底）上进行生长，由于二者晶格常数大小不同，在两种材料间产 生了晶格失配。 利用吴自勤和冯端的方法，得出硅和锗的晶格失配为4.1%，同样可以算出 与Si间的晶格失配为： 可以看出 合金与Si之间的晶格失配与合金中锗的组分x的多少有关。 直接带隙与间接带隙： 共同特征：价带在Fermi能级之下，而导带在Fermi能级之上。 重要差别：对于化合物半导体，价带顶和导带底排列在K值相同的一条线上， 价带顶和导带底之间的光跃迁可通过单光子的吸收或发射来完成，因此这种 半导体被称为直接带隙半导体；而对于元素半导体（如硅、锗）情况就不一 样，价带顶和导带底不在K值相同的一条线上，其价带顶和导带底之间的光 跃迁必须伴随一个对K补偿过程，即发射或者吸收声子，因此这种半导体被 称为间接带隙半导体。 电子学方面应用最广泛的半导体是Si，而在光电子学方面应用广泛的就要数 化合物半导体。 硅和锗的价带顶Ev都位于布里渊区中心，而导带底Ec则分别位于100方向的 简约布里渊区中心到边界的0.85倍处和111方向布里渊区边界，即导带底与 价带顶对应的波矢不同。 锗 硅 图1-35为 合金材料的能带结构示意图 从能带结构中看出，一方面 合金像 硅和锗一样，呈现间接带隙的特点；另一方面 又像锗那样， 比 低，这与实验 结果都是一致的。当x从0.0改变到1.0时， 合金的能带结构显示出从硅到锗的渐变过程。 和硅的能带间的主要差别是 合金在布里渊区的X点处能带分裂，在硅中X点 是二度简并的，例如在硅的 在 合金中分裂为 和 锗的禁带宽度为0.66ev； 硅的禁带宽度为1.12ev， 晶体硅的禁带宽度为 1. 07eV, 1.07ev 0.66ev 0ev 0.66ev L E 1.07ev X k 1.10 宽禁带半导体材料 一般把禁带宽度大于或等于2.3ev的半导体材料归为宽禁带半导体材料。 包括： Sic,金刚石， Ⅱ 族氧化物、硒化物、氮化物以及这些材料的合金。 目前广泛研究。备受关注的是SiC,GaN及其Ⅲ族氮化物。这类材料具有禁带 宽度大、热导率高、介电常数低、电子漂移和速度高等特点，适合制作高频 、高功率、高温、抗辐射和高密度集成的电子器件，利用其宽禁带的特点， 还可著作蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探测器件。 下面重点对SiC，GaN，AlN的晶格结构及能带进行扼要的介绍： 1.10.1 SiC的晶格结构和能带 1．晶格结构 　　碳化硅在不同物理化学环境下（温度、压力、介质条件等），能形成 两种或两种以上的晶体，各自具有一定的形态、一定的构造以及一定的物 理性质，这种现象称为同质多象。这些成分相同，形态，构造和物理特性 有差异的晶体称为同质多象变体(或同质多型体)。 目前已经发现的SiC多象变体有200多种。 SiC最常见的结构有3C-SiC（闪锌矿结构）； 2H-SiC（纤锌矿结构）；4H-SiC；6H-SiC 。其中3C-SiC又称为β-SiC， 2H-SiC称为α-SiC。 此外还有8H、9R、10H、14H、15R、19R、20H、 21H、24R等。 　　 ?? SiC多象变体是由数字和符号组成，其中C、 H 、R分别代表立方、六方、菱形 晶格结构，字母前的数字代表堆积周期中SiC原子的密排层数目。 Cubic Hexagonal Rhombic 3C就代表SiC变体是由周期为3层的SiC原子密排为立方晶格结构,4H 代表SiC变体是由周期为4层