05大体积单SiC单晶的生长及其应用.docVIP

大体积SiC单晶的生长及其应用作者：Zhenyu Liu 英国剑桥大学， zl249@cam.ac.uk； Alexandros Stavrinadis 英国牛津大学 摘要 SiC由于其硬度大可做为研磨材料。目前，由于SiC具有优良的半导电性，在半导体工业中发挥着越来越重要的作用。本文介绍了SiC单晶的各种生长方法。重点讨论单晶的生长参数及其对SiC单晶质量的影响。 1 引言 1.1 单晶 单晶，又称单晶体。该晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地、同期性地排列，或者说晶体的整体在三维方向上由同一空间各自构成，整个晶体中质点在空间的排列为长程有序。单晶中不含晶界。 由于晶界的结构与晶粒内部有所不同就使晶界具有一些不同于晶粒内部的机械、物理、电气特性。因此，单晶和一些高温功能材料一样，广泛应用于很多领域，如：微电子和光电学领域。 单晶的应用领域很广，在整个电子领域，单晶硅和相关材料拥有很大的市场份额。在激光领域，蓝宝石单晶的需求量很大。在金属领域，由超合金单晶制成的涡轮机叶片，具有特殊的机械性能。 1.2生长方法 目前，已经研究出多种单晶的生长方法并已广泛应用。 1.2.1焰熔法 焰熔法又称维尔纳叶法。从熔体中人工制取单晶的方法之一。将调配好的原 1. 早期的维尔纳叶装置示意图 图2.维尔纳叶工序简图 料细粉从管口漏下，均匀喷洒在氢氧焰中（高于2000℃）被融化后，再冷凝结晶于种晶或“梨形单晶”顶层；梨晶长大是从顶部熔化的圆锥开始，生长过程中其底座下降并旋转，以确保其熔融表面有合宜的温度逐层生长，边转动边晶出的人工宝石具有如同唱片纹的弧线生长纹或色带，以及珠形、蝌蚪状气泡等特征；不用坩埚的这种方法可以低成本制取合成红宝石、蓝宝石、尖晶石、金红石及人造钛酸锶等多种人工宝石。但是，此法的应用受不规则温度分布和冷却速率的限制1.2.2提拉法 提拉法又称切克劳斯基法。是丘克拉斯基（J.Czochralski）在1917年发明的从熔体中提拉生长高质量单晶的方法。这种方法主要用来生产高质量的晶体，生产的宝石有红蓝宝、尖晶石、变石等重要的宝石晶体。生产步骤如图3.所示[3]1.2.3 布里兹曼法 又可称为坩埚下降法，分为水平和垂直。原理：设置好相关参数，炉内可以形成一定温度梯度的温场，之后坩埚以一定速度移动从高温区到低温区经过该温场，而坩埚内的熔体即可定向凝固，逐步长成单晶。 1.2.4 区熔法 区域熔融法是从布里兹曼法发展出的单晶生长方法。它是应用最广的生产圆柱形高纯单晶硅棒的生产方法。它的最大特点是不用其他方法都需要使用的坩埚。操作简单，经济适用，可以小规模进行批量生产。此方法每次仅融化添加材料的一部分或一个区域，添加材料可以使粉末状的，烧结棒或局部融化的粉末棒。熔化从添加材料的一端开始，移动加热线圈或添加材料，使熔炼区移动，最后达到重结晶的目的。 图6. 区熔法图片 1.2.5溶液法 溶液法晶体生长是首先将晶体的组成元素（溶质）溶解在另一溶液（溶剂）中，然后通过改变温度、蒸汽压等状态参数，获得过饱和溶液，最后使溶质从溶液中析出，形成晶体的方法。该方法较为适合不同物质和高熔点混合溶液的结晶。该方法的难点在于选择合适的溶剂。每种晶体需要相应的溶剂，有可能是水、盐溶液、金属，以达到缓慢稳定的结晶过程。 1.2.6水热法 水热法是利用高温高压的水溶液使那些在大气条件下不溶或难溶的物质溶解，或反应生成物质的溶解产物，通过控制高压釜内溶液的温差使产生对流以形成过饱和状态而析出生长晶体的方法。 1.2.7升华法 某些物质的晶体不能在液相中生长，升华法是生长这类晶体的较好方法。该法是利用固体粉末产生晶体。一般情况下，该方法生长的晶体质量较液相法生产出的晶体质量难以控制。 1.3生长过程的基本因素 晶体生长是个需要严密控制的错综复杂的过程，热传递是过程的其中之一。 1.3.1三种热传递法 热传导是由于大量分子、原子等相互碰撞，使物体的内能从温度较高部分传至较低部分的过程。热传导是固体热传递的主要方式。由于接触和温度的不同，在气体和液体中，热传导往往与对流同时存在，但是热传导的热传递效果远小于对流。 热对流是靠液体或气体的流动，使内能从温度较高部分传至较低部分的过程。对流是液体和气体热传递的主要方式，气体的对流比液体明显。自然对流往往是由于温度不同或者密度不同引起的。 热辐射在固体中普遍存在，是物体之间利用放射和吸收彼此的电磁波，不必依靠介质，直接将能量发射出来，传给其他物质的过程。 1.3.2生长过程概述 2大体积SiC的生长 2.1 SiC生长的基本因素 关于如何生成SiC晶体，人们尝试过多种方法。经过50多年的发展，普遍认为，粉末升华法和气态前体裂解法是最为适宜的方法。 采用该方法生成单晶的过程就像是暗箱操作，可以控制几个关键参数。首先，坩埚的结构