半导体物理_第十讲.ppt

第十章 双极型晶体管本章学习要点：1. 了解双极型晶体管的基本工作原理，并建立其电流电压关系；2. 分析并推导出双极型晶体管内部少数载流子的分布情况；3. 分析决定双极型晶体管共基极电流增益的影响因子并推导出 其数学表达式；4. 了解双极型晶体管中的几个非理想效应；5. 建立双极型晶体管的小信号等效电路模型；6. 掌握分析双极型晶体管频率限制因素的方法；7. 掌握分析双极型晶体管大信号开关特性的方法。 双极结型晶体管（Bipolar JunctionTransistor，BJT），有时也简称为双极型晶体管或双极晶体管，之所以称为双极型器件，是因为其工作过程中包含了电子和空穴两种载流子的运动.  双极型晶体管包含3个独立的掺杂区域（NPN或PNP），由此构成两个靠得很近且二者之间具有相互作用PN结，双极型晶体管的工作原理与这两个PN结的特性密切相关。 §10.1 双极型晶体管的基本工作原理组成情况：三个掺杂区，两个PN结两种结构：NPN型BJT：两个N型区中间夹着一个薄的P型区；PNP型BJT：两个P型区中间夹着一个薄的N型区； 实际BJT的结构示意图例1：传统双极型集成电路中的BJT结构埋层：减小串联电阻；隔离：采用PN结； 实际BJT的结构示意图例2：先进的双层多晶硅BJT结构埋层：减小串联电阻；隔离：采用绝缘介质； 1. 基本的工作原理 NPN型BJT与PNP型BJT是完全互补的两种双极型晶体管，将以NPN型器件为例来进行讨论分析。理想情况下，一个均匀掺杂的NPN型BJT的掺杂分布如下图所示： 正常工作时，BJT器件的发射结（E-B结）处于正向偏置状态，而其收集结（B-C结）则处于反向偏置状态，这种情况通常称为正向放大模式。 A. 发射结正偏，电子由N型发射区越过发射结空间电荷区扩散进入基区，并在基区中形成非平衡过剩少子电子的浓度分布，基区中少子电子的浓度分布是发射结上外加正偏电压的函数，发射区中的电子电流是流过发射极电流的一个组成部分。 C. 基区中的少子电子存在着比较大的浓度梯度，因此电子可以通过扩散流过基区，和正偏的PN结二极管类似，少子电子在通过中性基区的过程中也会与其中的多子空穴发生一定的复合。D. 电子扩散通过基区之后，将进入反偏的收集结空间电荷区中，收集结中的电场将把扩散过来的电子拉向收集区，能够被拉向收集区的电子数目取决于由发射区注入到基区中的电子数目。 E. 流入到收集区中的电子数量（构成收集极电流）取决于发射结上的偏置电压，此即双极型晶体管的放大作用，即：BJT中流过一个端点的电流取决于另外两个端点上的外加电压。发生在正向放大模式BJT中的其它次要的物理过程还有：F.基区中的少子电子将与基区中的多子空穴相复合，因此基区中的多子空穴必须得到补充，这个过程构成了基极空穴电流的一个组成部分 G. 由于发射结正偏，因此基区中的空穴也会越过发射结空间电荷区向发射区扩散，但是由于基区掺杂浓度通常远远低于发射区的掺杂浓度，因此空穴由基区扩散至发射区所引起的空穴电流也将远远小于电子由发射区扩散至基区所引起的电子电流，这个空穴电流也构成了基极电流和发射极电流的一个组成部分。H. 反偏的收集区中也存在着一个反向漏电流，这个反向漏电流通常很小。 2. 工作模式BJT器件可以有四种工作模式：（1）当发射结处于正偏，而收集结处于反偏时，这也就是所谓的正向放大模式；（2）当发射结处于零偏或反偏，收集结也处于反偏时，BJT器件发射区中的多数载流子电子不会向基区中注入，因此器件发射极电流和收集极电流均为零，此时称为截止模式； （3）随着发射结正向偏置电压的不断增加，收集结由反偏变为零偏甚至正偏，此时BJT即进入饱和工作模式。发射结正偏，收集结正偏。 BJT器件四种不同的工作模式所对应的PN结偏置情况如下页图所示。 BJT器件四种不同的工作模式及其对应的PN结偏置条件示意图 §10.2 少数载流子分布情况 我们主要感兴趣的是双极型晶体管的各个电流表达式，和理想PN结情况类似，这些电流都是BJT中各个区域少数载流子浓度分布的函数，因此首先确定在不同工作模式下，双极型晶体管中稳态条件下各个不同区域的少数载流子浓度分布。1. 正向放大模式考虑如下结构的一个均匀掺杂的BJT器件。 正向放大模式下BJT中各区少子浓度分布示意图 下图所示为工作在截止状态时BJT中不同区域的少数载流子浓度分布。 下图所示为工作在截止状态时BJT中各区的能带情况示意图。 下图所示为工作在饱和状态时BJT中不同区域的少数载流子浓度分布。器件发射结和收集结均处于正偏状态，但是发射结上的正偏电压还是略高于收