单极型场效应管和放大电路.ppt

3）分压式自偏压电路 ∵ IG =0， 调整电阻的大小可使 UGSQ 0 或UGSQ = 0 或UGSQ 0 4.6.2 场效应管的直流通路及静态估算分析 VDS Q=VDD-IDQ(Rd+Rs) ∴该电路适合于各种FET管，应用较广，类似于BJT管的射极偏置电路。场效应管放大电路的输入耦合电容可以较小。 4.7 场效应管的微变等效电路分析法 4.7.1 场效应管的微变等效电路 （1）低、中频模型 通常rd、rgs很大可以忽略 简化模型 （2）高频模型 4.7 场效应管的微变等效电路分析法 1. 分压式自偏压共源极放大电路 （1）画微变等效电路 4.7.2 场效应管放大电路微变等效电路分析 如果，源极接有旁路电容CS？ （2）动态指标分析 1）中低频电压增益 2）输入电阻 3）输出电阻 据简化小信号模型电路 则 关键：用vgs表示vi，vo 4.7.2 场效应管放大电路微变等效电路分析 画出求RO电路 如果，源极接有旁路电容CS？ 模拟电子技术——电子技术基础精品课程 上页 下页 (Field Effect Transistor) 4.1 单极型场效应管概述 4.3 绝缘栅场效应管(MOSFET) 4.4 N沟道耗尽型MOS管 4.5 各种场效应管特性比较及注意事项 4.2 结型场效应管(JEFT) 4.6 场效应管放大器及其静态分析 4.7 场效应管放大电路微变等效电路分析 基本要求: 1 了解JFET和MOS管的工作原理、特性曲线及主要参数 2 掌握用估算法和小信号模型法分析静态及动态性能指标 3 了解三极管及场效应管放大电路的特点 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类 增强型FET－－ vGS=0时没有导电沟道，iD=0;vGS0形成 感生沟道的FET。符号中的虚线表明了其特点。 反之，为耗尽型。 4.1 单极型场效应管概述 4.2 结型场效应管(JFET) 4.2.1 JFET的结构 4.2.3 JFET的特性曲线 4.2.2 JFET的工作原理 4.2.3 JFET的主要参数 结构示意图 N沟道 P沟道 按导电沟道分 4.2.1 JFET的结构 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 结构－－实际结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 栅结正偏时，栅极电流的方向－－从P指向N 4.2.1 JFET的结构 偏置电压的要求： 1 )栅-源极间加一负电压(vGS＜ 0) 作用：使栅-源极间的PN结反偏，栅极电流iG≈0，场效应管呈现很高的输入电阻(高达107?左右)。 2)漏-源极间加一正电压(vDS＞0) 作用：使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成漏极电流iD。 在上述两个电源的作用下,iD的大小主要受栅-源电压vGS控制，同时也受漏-源电压vDS的影响。 工作原理 （以N沟道JFET为例） 4.2.2 JFET的工作原理 (1) VGS对沟道的控制作用 (假设vDS=0) 当VGS＜0时 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏， 耗尽层加厚， 电阻增大； vGS?? ? 电阻? ? 沟道变窄， 结论：vGS控制沟道电阻的大小。 4.2.2 JFET的工作原理 (2) VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， ID =0 G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布?阻碍iD增加。 ②当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断?iD=IDSS?饱和区。 ③继续VDS ? 夹断区向下延伸 沟道电阻? ID?IDDS ①VDS=0 ? ? ? ? ID 近似线性 ? VDS? ? iDSS vGS=0 反向击穿 iD/mA 0 vDS/V V(BR)DS |VP| ②预夹断点 ① ③ ④VDSV(BR)DS?反向击穿 ④ 4.2.2 JFET的工作原理 (3) VGS和VDS同时作用时 导电沟道更容易夹断， 对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。 VGD=VGS-VDS =VP 当VP VGS0