《太阳能电池基础与应用》太阳能电池-第二章-3.pdfVIP

第二章 半导体基础 2.13 半导体中电子态和能带 2.2 半导体中的杂质与缺陷 2.33 平衡状态载流子分布 2.4 非平衡载流子的产生与复合 2.5 漂移电流与扩散电流 3 2.6 载流子输运方程 2.5 漂移电流与扩散电流 平衡状态 没有外界影响(如电压、电场、磁场或温度梯度)作用在半导体上的 状态，称为平衡状态。 平衡态半导体的标志就是具有统一的费米能级EF ，此时的平衡载流 子浓度n 和p 唯一由E 决定。平衡态非简并半导体的n 和p 乘积为： 0 0 F 0 0 E g 2 n p N N exp( ) n 0 0 C V i kT 称n p =n 2为非简并半导体平衡态判据式。 0 0 i 2.5 漂移电流与扩散电流 非平衡状态 处于准平衡状态的半导体，其载流子浓度将不再是n 和p ，可以比它们多出 0 0 一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子，有时也称过 剩载流子，用∆n 和∆p 分别表示过剩电子和过剩空穴浓度。 一般情况下，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多子浓度小得多。对于N 型半导体，∆n远小于n ，∆p远小于n ，满足这个条件的注入称为小注入。 0 0 E n E k T (  ) / F i B n n e i (E E p ) / k T i F B p n e i 2 Δμ/ kB T np n e i  E n E p