典型缺陷反应(陈春华).pdf

第五章 典型缺陷反应 典型缺陷反应 化学整比化合物（本征）缺陷反应 本征）缺陷反应 非化学整比化合物（本征）缺陷反应 非化学整比化合物（本征）缺陷反应 非本征缺陷（掺杂缺陷）反应 非本征缺陷（掺杂缺陷）反应 主要参考书: “Defects and Transport in Crystalline Solids” Truls Norby, University of Oslo, Spring 2004 点缺陷的分类： 点缺陷的分类： 本证缺陷和非本征缺陷： 本证缺陷和非本征缺陷： (intrinsic defects and extrinsic defects) (intrinsic defects and extrinsic defects) 本征缺陷——非外来杂质晶体缺陷，缺陷形成源 本征缺陷——非外来杂质晶体缺陷，缺陷形成源 自晶体（化合物）的本来属性（整比或非整比化 自晶体（化合物）的本来属性（整比或非整比化 合物，组成元素不变） 。 合物，组成元素不变） 。 非本征缺陷——缺陷源自外来杂质（impurities) 非本征缺陷——缺陷源自外来杂质（impurities) 或掺杂（dopants ）（组成元素变化）。 或掺杂（dopants ）（组成元素变化）。 化学计量(整比)和非化学计量(非整比) 化学计量(整比)和非化学计量(非整比) 化合物中的结构缺陷 化合物中的结构缺陷 Defects in stoichiometric- and non-stoichiometric compounds Defects in stoichiometric- and non-stoichiometric compounds 整比化合物结构缺陷：缺陷形成，不破坏化合物元 素组成的“整比性” ，不与环境不发生元素交换，缺陷 成对出现(Schottky’s, Frenkel’s and Electronic Defects)。 非整比化合物结构缺陷：缺陷形成，破坏化合物组 成元素的“整比性” ⇒非化学计量化合物，与环境发生 组成元素物质交换。 整比化合物结构缺陷形成及浓度，仅与物性和温度有 关。而非整比化合物结构缺陷形成及浓度，除与物性 和温度有关，还与环境组元活度 （分压）有关。 第一节：缺陷反应规则 第一节：缺陷反应规则 Rules for writing defect reactions ） （ Rules for writing defect reactions ） （ ——(点)缺陷结构可看作是缺陷(溶质)溶于晶体(溶 ——(点)缺陷结构可看作是缺陷(溶质)溶于晶体(溶 剂)而形成的一种固态溶液。可以用溶液热力学的方 剂)而形成的一种固态溶液。可以用溶液热力学的方 法进行缺陷反应和缺陷平衡处理。缺陷反应遵循以 法进行缺陷反应和缺陷平衡处理。缺陷反应遵循以 下三个规则： 下三个规则： 1) 物质守恒 （空位、电子和空穴，不计质量） 1) 物质守恒 （空位、电子和空穴，不计质量） 2) 电中性原则 （反应前后总有效电荷数相等） 2) 电中性原则 （反应前后总有效电荷数相等） 3) 格位比例不变原则。 3) 格位比例不变原则。 第二节： 整比化合物本征缺陷反应 第二节： 整比化合物本征缺陷反应 (Schottky, Frenkel and Electronic defect reactions) (Schottky, Frenkel and Electronic defect reactions) 1) Schottky defect reactions : 1) Schottky defect reactions : 例如：MO化合物晶体。 例如：MO化合物晶体。 M +O V =+V •• +M +O • 物质守恒 M O M