利用窄得-奥菲特理论研究TmLu2SiO5晶体的光谱特性.pdfVIP

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2017-10-25 发布于北京
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利用窄得-奥菲特理论研究TmLu2SiO5晶体的光谱特性.pdf

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利用窄得-奥菲特理论研究TmLu2SiO5晶体的光谱特性.pdf

第35卷第4期中国激光 V01．35，No．4 2008年4月 OFLASERS April，2008 CHINESEJoURNAL 文章编号：0258—7025(2008)04—0601—04 利用窄得一奥菲特理论研究 Tm：Lu2Si05晶体的光谱特性姚宝权1 郑亮亮1 赵广军2 宗艳花2 ／ 1哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室，黑龙江哈尔滨150001、、2中国科学院上海光学精密机械研究所激光与光电子功能材料研究中心，上海201800，温下的非偏振吸收光谱和非偏振荧光光谱；利用窄得一奥菲特(Judd-Ofeh)理论计算了TmLSO晶体的窄得一奥菲特强度参数、振子强度、自发辐射概率、辐射寿命、积分吸收截面和积分发射截面。WmtLSO晶体的强度参数为nz 一9．1355×10_20cm2，晚一8。4103×10“ocm2，n6—1．5908×10-20em2；Tm：LSO晶体在1．9jum附近有明显的 em2，半峰全宽(FWHM)为发射峰(3F4—3H。跃迁)，相应的辐射寿命为2．03ms，积分发射截面为5．81X10“8 250 am。用Tm：LSO晶体在77K温度下实现了激光运转。利用792nm的激光二极管(LD)作为抽运源，获得中心 kW／cm2。波长为1960am的激光输出，抽运阈值为2．13 关键词激光器；固体激光器；激光材料；窄得一奥菲特理论；铥离子；斯塔克能级 248．1 文献标识码A 中图分类号O734；TN244；TN of of Judd-Ofelt PropertiesTm3+Doped AnalysisSpectroscopic Lu2Si05 Crystals Yao Zhao un2 Yanhua2 BaoquanlZhengLianglian91GuangjZong 1 National TunableLaser KeyLaboratoryof Technology， HarbinInstitute 150001，China ofTechnology，Harbin，Heilongjiang 2R＆D Laserand Institute and Centerfor ofOptics Opto-ElectronicMaterials。Shanghai 201800，China FineMechanics，ChineseAcademyofSciences，Shanghai AbstractAnewsilicatelaser