耿苏燕主编模拟电子技术基础第2版电子教案 2.1　晶体管及其特性.pptVIP

2.1　晶体管及其特性 三极管概述 半导体三极管常见外形 2.1.1 晶体管的结构 2.1.2 晶体管的工作原理 二、放大状态 二、饱和状态 三、截止状态 *小结 2.1.3 晶体管的伏安特性 伏安特性的应用举例 2.1.4 晶体管的主要参数 *例 2.1　复习要点 作业：P83 2.4之1 P85 2.2 解: (1) 某BJT的输出特性曲线如图所示，试求：（1）ICM 、PCM 、U（BR）CEO和UA值；（2）计算Q1(6V, 2mA)处的 。 某BJT的输出特性曲线如图所示，试求：（1）ICM 、PCM 、U（BR）CEO和UA值；（2）计算Q1(6V, 2mA)处的 。 解续: (2) 在Q1处， 3mA-2mA=1mA ，因此 *例 晶体管三种工作状态的偏置条件与工作特点。 1. 了解晶体管结构，理解其工作原理及电流放大作用。 掌握晶体管的电路符号、伏安特性、主要参数, 掌握三种工作状态的偏置条件与工作特点。 3. 理解晶体管电路三种组态的概念。 主要要求： 重点： 通过多练习，掌握三种工作状态的判别，并初步 掌握晶体管的选用。 * * * * * 2.1.1 晶体管的结构 2.1.2 晶体管的工作原理 2.1.3 晶体管的伏安特性 2.1.4 晶体管的主要参数 三极管概述 两种载流子参与导电。 通常简称三极管、晶体管 或BJT（即 Bipolar Junction Transistor）。 依靠一种载流子（多子）导电。 依靠电场效应工作，故通常称场效应管， 简称FET（即 Field Effect Transistor ）。 双极型三极管 单极型三极管 半导体三极管分类 三极管的作用 E C B NPN 型 结构特点 发射区掺杂浓度很高 基区薄且掺杂浓度很低 集电结面积大 + E C B PNP 型 三极管含两个PN结。根据PN结偏置方式的不同， 有四种工作状态： 一、晶体管的四种工作状态及其偏置条件 发射结正偏导通、集电结反偏，工作于放大状态； 发射结正偏导通、集电结也正偏，工作于饱和状态； 发射结零偏或反偏、集电结反偏，工作于截止状态； 发射结反偏、集电结正偏导通，工作于倒置放大状态。 1. 偏置条件： 发射结正偏导通、集电结反偏 共发射极放大电路 发射区向基区发射多子，其中极少部分在基区复合形成电流IBN ，而绝大部分被集电区收集形成电流 ICN 。 IB = IBN – ICBO ? IBN I C = ICN + ICBO ? ICN I C 和 IB由IE按一定比例分配得到。 载流子运动规律与电流分配关系  I E ? I EN = ICN + IBN = IC + IB 穿透电流 IE = IC + IB 　 通常用 表示这种电流分配关系。 称为共发射极直流电流放大系数，反映晶体管电流放大能力。 二、放大状态 续 若VBB有增量ΔVBB ，则UBE变为（UBE＋ΔUBE）； I E变化 为（I E＋ΔIE）；根据分配比例， IB、IC分别变为（IB＋ΔIB） 和（IC＋ΔIC）。 定义： 3. 电流放大的原理 β称为共发射极交流电流放大系数 二、放大状态 续 其值通常在20~200之间，因此输出电流信号ΔIC远大于输入电流信号ΔIB ，晶体管具有电流放大作用。 － 放大状态下， β ?β且 几乎为常数，一般不加区分。 集电结正偏不利于集电区收集电子，发射区扩散到基区的电子中将有较多的在基区复合形成IB，IC不像放大状态时那样按比例得到，失去电流放大能力。 1. 偏置条件：发射结正偏导通、集电结也正偏 2. 工作原理 二、饱和状态 续 饱和压降用UCES 表示，对NPN型硅管 UCES ? 0.3V C、E之间压降很小 等效为开关合上 无放大作用 3. 工作特点 1. 偏置条件： 发射结零偏或反偏、集电结反偏 IB?0、IC ? 0 、IE ? 0 ， 无放大作用， C、E 间等效为开关断开。 2. 工作特点： 晶体管主要作用：放大 实现放大的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄且 低掺杂，集电结面积较大。 外部条件：发射结正偏导通、集电结反偏。 放大原理：发射区向基区发射多子，其中的