集成电子技术基础教程（第2版）（上、下册）王小海2篇-2章1.pptVIP

① 求电压放大倍数 因 ，所以 共集电极放大电路的输出电压取自发射极，且电压放大倍数近似为1，所以，该放大电路又称为射极跟随器（射极输出器）。 ② 输入电阻计算 式中， vBE，iB，vCE，iC是各电量的瞬时总量（直流+交流）。 在低频小信号条件下，研究各变化量之间的关系，对两关系式求全微分得： 式中 代表 的变化量部分，则有： 再令： 最后得到： 由电路网络理论得出： 晶体管低频小信号电路模型 其中 是晶体管输出交流短路时的输入电阻（动态输入电阻） 是晶体管输入交流开路时的内电压反馈系数（很小） 是晶体管输出交流短路时的电流放大系数 是输入交流开路时的输出电导（晶体管输出电阻的倒数） 由于内电压反馈系数 很小，常略。 而输出电导也很小，输出电阻很大。所以，晶体三极管的低频小信号模型如下： 简化模型 低频小信号完整模型 说明是非理想的CCCS 在应用三极管低频小信号模型时应注意： ⑤β和rbe可用H参数测试仪测得，而rbe可用公式估算 ： ①只适用于低频小信号条件; ②变化量或交流分量，不允许出现直流量或瞬时量符号; ③模型中的参数，与Q点有关，不是固定常数; ④电流源“βib” 方向和大小由ib 决定; rbb′为晶体三极管的基区体电阻，约为100～300Ω； VT＝26mV（室温下，是电压的温度档量）； IEQ为发射极静态电流。 其中： 由于发射结电阻和基极体电阻不在同一回路，所以有： N N P 基区体电阻100—300Ω 发射区体电阻（略） 二、场效应管的低频小信号模型 与推导半导体三极管的低频小信号模型相同，场效应管在低频小信号的条件下，在特性曲线Q点附近的某一小段曲线，同样可以等效成一条直线。 不管是结型的还是MOS场效应管，由于栅极都不取电流，而漏源之间是一个受控的电流源，所以有如下的低频小信号模型。 输入回路：由于场效应管的栅极电流为零，输入回路栅极源极之间可用开路来等效。 输出回路：受控电流源“gmΔvGS”和动态电 阻rds并联。 图中gm：低频跨导，它表征了ΔvGS对ΔiD的控制能力。 rds：输出电阻（动态电阻），通常可忽略。 受控电流源方向：对6种类型FET都适用。 2.2.3 放大电路的动态分析 动态分析是指：在放大电路的交流通路基础上，假定放大器件工作在线性放大区内，利用其低频小信号模型建立起放大电路的微变等效电路，然后计算出放大电路的技术指标： 电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态性能指标 分析步骤是： 由放大电路→画交流通路→器件用低频小信号模型→整理电路成微变等效电路→用电路原理中的方法求解各项技术指标。 交流通路及画法：放大电路在输入信号作用下，只考虑信号电流和信号电压相关的通路，用于研究电路的动态性能指标。 画法： ① 所有耦合电容和旁路电容都当作交流短路；（因耦合电容容量取得很大，容抗很小，可略去不计。） ② 所有直流电源当作交流短路。（因理想电压源其内阻为零，对交流信号而言，其上没有交流电压变化量，即交流压降为零，可略而不计。） 一、放大电路的三种基本组态 共射放大组态(CE) 典型共射放大电路 交流通路 共集电极放大组态(CC) 交流通路 共集电路组态（射极输出器） 共基极放大组态(CB) 共基极放大电路 交流通路 FET放大电路的三种基本组态 共源极放大组态(CS) 交流通路 共源极放大电路 共漏极放大组态(CD) 交流通路 共漏极放大电路 共栅极放大组态(CG) 共栅极放大电路 交流通路 放大电路分析的一般步骤： 二、基本放大电路的动态分析 ① 求静态工作点，根据Q点计算小信号模型参数，如rbe； ② 确定交流通路； ③ 画出微变等效电路； ④ 计算动态性能指标（如Av、Ri、Ro）。 1．共射放大电路的动态分析 微变等效电路 电路 交流通路 ① 求电压放大倍数Av 输入电阻是放大器输入端看进去的等效电阻。 ② 计算输入电阻Ri 当信号源短路，负载开路，并从负载两端看进去的等效电阻。 由于信号源短路后，基极电流为零，所以受控源开路，故有： ③ 计算输出电阻Ro 通常在实际测量中，是当信号源短路，负载开路后，在负载开路两端加上一个等效电压源，然后产生多大电流来计量的。 可见对共射放大电路有： 2．共集电级放大电路的动态分析 电路 交流通路 微变等效电路 * 第二章 放大电路动态分析 本章从放大电路的交流通路入手，在输入低频小信号的条件下，器件用线性电路模型等效，然后用电路原理中的一些方法，来分析和计算放大电路的主要技术指标，所以本章是电子电路分析的基础，要求熟练掌握。 2.2.1 放大电路的动态性能指标 放大器的指标因放大器的功用不同而异。而且有些指标与信号源及电路负载有关。 主要的