8-5 带电粒子在电场和磁场中及运动(new).pptVIP

回旋加速器是核物理、高能物理实验中用来获得高能带电粒子的设备，下图为其结构示意图。 2. 回旋加速器 D形盒 电磁铁 电磁铁 离子源 真空室 接高频电源 离子源 D型盒 引出离子束 (1)装置 电磁铁 产生强大磁场 D形真空盒 放在真空室内，接高频交变电压，使粒子旋转加速, (2)原理 离子源产生的带电粒子经电场加速进入D1磁场使粒子在盒内做圆运动， 带电粒子源产生带电粒子 高频交变电源使D型盒间缝隙处产生高频交变电场使带电粒子每经过缝隙处就被加速一次。带电粒子在盒内运动时只受磁场作用速率不变。在一半盒内运动时间为 该时间与运动半径无关，只要高频电源频率和带电粒子在盒内旋转频率一样，就可保证其每次经过缝隙处被加速。 在粒子被加速到近光速时，考虑相对论效应，粒子在盒内运动时间变长，旋转频率下降，此时使高频电场频率与带电粒子在盒内旋转频率同步变化，就仍可保证粒子被加速，这种回旋加速器叫同步回旋加速器。 回旋加速器一般用来加速质量较大的带电粒子。下图为世界最大的回旋加速器内部情况。 倍恩勃立奇质谱仪结构示意图 速度选择器 离子源 加速电场 均匀磁场 3. 质谱仪 质谱仪是利用电场和磁场的各种组合达到把电荷量相同而质量不同的带电粒子分开的目的，是分析同位素的重要仪器，也是测定离子比荷的重要仪器。 从离子源所产生的离子经过狭缝S1与S2之间的加速电场后,进入P1与P2两板之间的狭缝,在P1和P2两板之间有一均匀电场E,同时还有垂直向外的均匀磁场B’。带电粒子同时受到方向相反的电场力和磁场力的作用，显然，只有所受的这两种力大小相等的粒子才能通过两板间狭缝，否则，就落在两板上而不能通过。这一装置叫速度选择器。 电场力 磁场力 　　当离子进入两板之间,它们将受到电场力和磁场力的作用,两力的方向相反,只有速率等于E/B’的离子,才能无偏转地通过两板间的狭缝沿直线运动。 首先用互相垂直的均匀电场和均匀磁场对带电粒子联合作用,选择速度适宜的带电粒子。 速度选择器原理 上式中，除质量外m ，其余均为定值，半径R 与质量m 成正比，即同位素离子在磁场中作半径不同的圆周运动 ,这些离子将按照质量的不同而分别射到照相底片AA’上的不同位置,形成若干线谱状的细条，每一细线条代表不同的质量 。 从S0射出的离子进入磁感应强度为B的磁场后,受磁场力的作用将作圆周运动，半径为 依据离子在照相底片上的位置可算出这些离子的相应质量。所以这种仪器叫质谱仪。可精确测同位素相对原子量。 带电粒子电荷量与质量之比称做带电粒子的比荷，是反映基本粒子特征的重要物理量。质谱仪可测定不同速度下的比荷 实验发现，高速情况下同一粒子比荷有所变化，这是由于带电粒子质量按相对论关系变化引起的，与电荷无关。这就验证了带电粒子的运动不改变其电荷量。 4. 霍耳（E.C.Hall)效应 在一个通有电流的导体板上，垂直于板面施加一磁场，则平行磁场的两面出现一个电势差，这一现象是1879年美国物理学家霍耳发现的，称为霍耳效应。该电势差称为霍耳电势差 。 半导体 金属 实验指出，在磁场不太强时，霍耳电势差 U与电流强度I和磁感应强度B成正比，与板的宽d成反比。 RH称为霍耳系数，仅与材料有关。 原理 霍尔效应是由于导体中的载流子在磁场中受到洛仑兹力的作用发生横向漂移的结果。下面以金属导体为例，来说明其原理 霍 耳 效 应 霍耳效应 I 霍耳电压 霍耳系数 + + + + + + - - - - - 霍尔效应的应用 2、根据霍耳系数的大小的测定， 可以确定载流子的浓度 n型半导体载流子为电子 p型半导体载流子为带正电的空穴 1、确定半导体的类型 霍耳效应已在测量技术、电子技术、计算技术等各个领域中得到越来越普遍的应用。 3、磁流体发电 量子霍耳效应 2. 分数QHE 1982年,崔琦、Stomer发现在更强磁场下 1.整数QHE 1980年,von Klitizing发现：半导体2DEG在低温强磁场下的Hall电导为 1985年 诺贝尔物理奖 1998年 诺贝尔物理奖 物理 知识 m为严格的整数, 实验精度达到十亿分之一! 作业： 习题：8-23，8-24，8-25，8-28，8-30，8-33 补充习题1、一对同轴无限长直的导体圆筒，内外筒的半径分别为 R1和R2 ，电流由内筒流去，外筒流回。求： （1）空间磁场分布； （2）图中阴影部分的磁通量。 I I L 补充习题2、如图，一无限长圆柱形导体，横截面半径为R，在导体内有一半径为a的圆柱形孔，它的轴平行于导体轴且与它相距b，设导体中载有均匀分布的电流I，求孔内任意