双极型晶体管交流小信号特性分析设计.pdf

合肥工业大学 Hefei University of Technology 双极型晶体管交流小信号特性分析 报 告 书 班级 ：电子科学与技术13-1 班 姓名： 付浩彪 学号：2013213209 组员：夏文 黄乃柱 指导老师：宣晓峰 张彦 于永强 1 目 录 1.课程设计目的与任务…………………………………………………………3 2.设计的内容……………………………………………………………………3 3.设计的要求与数据……………………………………………………………3 4.物理参数设计…………………………………………………………………3 4.1 各区掺杂浓度及相关参数的计算………………………………………3 4.2 集电区厚度Wc 的选择……………………………………………………6 4.3 基区宽度WB………………………………………………………………6 4.4 mdraw 构建器件模型及网密加密………………………………………10 4.5 dessis 的使用……………………………………………………………11 4.6 用inspect 工具观察器件交流小信号模型……………………………13 4.7 对比不同交流小信号频率晶体管交流特性并分析跨导………………14 5.心得体会………………………………………………………………………16 6.参考文献………………………………………………………………………17 2 1、器件与工艺课程设计目的与任务 通过该课程设计让我们系统的掌握半导体器件，集成电路，半导体材料及工 艺的有关知识，使我们在熟悉晶体管基本理论和制造工艺的基础上，掌握晶体管 的设计方法。要求我们根据给定的晶体管电学参数的设计指标，完成晶体管的纵 向结构参数设计，再由晶体管的图形结构设计到材料参数的选取和设计，到制定 实施工艺方案，最后到晶体管各参数的检测方法等设计过程的训练，为从事微电 子器件设计、集成电路设计打下必要的基础。 2、设计的内容 设计一共射极直流增益 β50 的NPN 双极型晶体管，并分析其交流小信号特 性 3、设计的要求与数据 为了进行小信号分析，需确定晶体管相关参数，从而用软件画出图形并进行模拟 （1）了解晶体管设计的一般步骤和设计原则。 （2）根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度N , N , E B 和N ,根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命 C 等。 （3）根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度W ， c 基本宽度W 和发射区宽度W 等。 b e （4）根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、 发射区、集电区和衬底 4、物理参数设计 4.1 各区掺杂浓度及相关参数的计算 击穿电压主要由集电区电阻率决定。因此，集电区电阻率的最小值由击穿电 压决定，在满足击穿电压要求的前提下，尽量降低电阻率，并适当调整其他参量， 以满足其他电学参数的要求。 3 对于击穿电压较高的器件，在接近雪崩击穿时，集电结