纳米硅粒子的表面氧化及其光致发光特性.PDFVIP

第３２卷　第４期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３２ Ｎｏ４ ２０１１年４月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ａｐｒ．，２０１１ 文章编号：１０００７０３２（２０１１）０４０３４７０６ 纳米硅粒子的表面氧化及其光致发光特性 于　威，徐焕钦，徐艳梅，王新占，路万兵，傅广生 （河北大学 物理科学与技术学院，河北 保定　０７１００２） 摘要：采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅粒子，并对其溶液发光的稳态和瞬态特性 进行了研究。稳态光致发光结果显示，新制备的纳米硅粉体表现为峰值位于４４０ｎｍ附近的蓝色发光，经长时 间氧化后，该波段发光强度显著增加，并且出现另一峰值位于７５０ｎｍ附近的红色发光带。不同波长激发和时 间分辨光致发光谱的分析表明，纳米硅粒子蓝色发光归因于粒子内部载流子的带带跃迁过程，衰减时间在纳 秒量级，氧化造成该波段发光衰减时间常数增加。氧化后出现的红色发光来源于载流子经由表面缺陷态的 辐射复合，该发光衰减寿