连续含铝SiC自由膜的制备与发光特性研究3.PDFVIP

姚荣迁 等 :连续含铝 SiC 自由膜的制备与发光特性研究 1781 3 连续含铝 Si C 自由膜的制备与发光特性研究 1 ,2 ,3 1 ,2 1 ,2 1 ,2 1 ,2 ,3 1 ,2 4 姚荣迁 ,冯祖德 ,张冰洁 ,林宏毅 ,李思维 ,余煜玺 ,张立同 ( 1. 厦门大学 福建省特种先进材料重点实验室 ,福建 厦门 36 1005 ; 2 . 厦门大学 材料学院 ,福建 厦门 36 1005 ;3 . 厦门大学 化学化工学院 ,福建 厦门 36 1005 ; 4 . 西北工业大学 凝固技术国家重点实验室 ,陕西 西安 7 10072) ( ) ( ) 摘 　要 : 　通过自制喷膜装置对聚铝碳硅烷 PA CS 进 究大多集中在如离子注入法 、化学气相沉积 CVD 、物 ( ) ( ) 行脱泡处理 、熔融纺膜 ,并对其进行氧化交联 、高温预 理气相输运 PV T 、液相外延生长 L P E 、分子束外延 ( ) ( ) 烧及高温裂解终烧可制得连续含铝 SiC 自由薄膜 。用 法 MB E 、离子体化学气相沉积 P ECVD 、磁控反应 ( ) ( ( ) ( ) [7～9 ] 扫描电镜 SEM 分析薄膜的形貌 ,通过红外光谱 F T2 溅射 RM S 和激光脉冲沉积 PL D 等 。随着化学 IR) 分析氧化交联后薄膜的结构变化 ,通过 电子探针 气相沉积技术的不断成熟 , CVD 方法已经广泛地应 ( ) ( ) ( ) EPMA 、拉曼光谱 Raman 、X 射线衍射 XRD 与场 用于 SiC 薄膜材料的生长 ,但 CVD 法的最大缺陷是均 ( ) 发射高分辨透射电子显微镜 H R T EM 对薄膜进行成 涉及较高沉积温度 、所得薄膜匹配性差以及氢影响等 ( ) [ 6～10 ] 分及微观结构分析 ,采用光致发光谱 PL 对薄膜的光 问题 。此外以上方法均借助基材进行沉积 SiC 薄 学带隙和发光特性进行了研究 。结果表明 ,熔融纺膜 膜 ,存在晶格失配和热膨