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什么是 igbt（What is IGBT） 什么是IGBT顶 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），绝缘栅双极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构N，N +区称为源区，附于其上的电极称为源极。n +区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P + P和一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（子区）。而在漏区另一侧的P +区称为漏注入区（疏水器），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P +基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。 IGBT的工作特性顶 IGBT的工作特性包括静态和动态两类： 1。静态特性 IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT的伏安特性是指以栅源电压UGS为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压UGS的控制，UGS越高，ID越大。它与GTR的输出特性相似。也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N +缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N +缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。 IGBT的转移特性是指输出漏极电流ID与栅源电压UGS之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压UGS（th）时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，ID与UGS呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15v左右。 IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构但流过MOSFET，IGBT总电流的主要部分的电流成为。此时，通态电压UDS（上）可用下式表示 Uds（上）＝uj1＋UDR＋idroh 式中uj1吉结的正向电压，其值为0.7～1V；UDR --扩展电阻RDR上的压降；Roh --沟道电阻。 通态电流IDS可用下式表示： ID =（1 + bpnp）的 式中IMOS——流过MOSFET的电流。 由于N +区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000v的IGBT通态压降为2～IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在3V。 2。动态特性 在开通过程中大部分时间是作为IGBT，MOSFET来运行的，只是在漏源电压UDS下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。TD（上）为开通延迟时间，三为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间吨即为TD三之和（上）。 The drop time of the drain source voltage is composed of tfe1 and tfe2. The trigger and turn off of the IGBT require positive voltage and negative voltage between the gate and the base, and the gate voltage can be generated by different driving circuits. When choosing these driving circuit, the following must be based on the parameters of the device off: to offset requirements, gate charge requirements, soundness r