开机电路分析之GA-H61M-DS2主板.docVIP

一、? ??待机条件产生原理 1.实时时钟供电RTCVDD BAT电池电压VBATT，通过RB电阻改名为VBAT，一路送到IO检测电池电量，二路送到肖特基二极管D2的1脚，从3脚输出RTCVDD电压，给桥RTC电路提供供电。 2.?实时时钟复位RTCRST# RTCVDD电压通过R234电阻和C95组成的RC延时电路，延时后得到－RTCRST高电平，?一路通过电阻R230送到CMOS跳线帽CLR_COMS。二路送到桥的RTCRTS#脚，复位桥内部RTC电路。 3.实时时钟频率32.768KHZ 桥得到VCCRTC、RTCRST#后，给X2晶振供电，晶振起振产生32.768KHZ频率给桥的RTC电路，桥内部RTC电路开始工作。 ? 4.PCH待机供电3VDUAL_PCH 给电源接上电，电源输出5VSB供电，通过Q62降压得到3.3V的3VDUAL_PCH待机电压,给桥和IO芯片提供待机供电。 5.深度休眠供电VCCDSW 3VDUAL_PCH同时给桥的VCCDSW点提供深度休眠供电。 6.深度休眠电压好信号DPWROK 3VDUAL_PCH通过R360和R361电阻分压后，送到Q35的B极，控制Q35导通，使Q34截止，通过R348电阻上拉得到高电平的PCH_DPWROK信号给桥，表示主板深度休眠供电正常。 7.5V双路供电5VDUAL 电源输出5VSB待机电压，通过R435和R43