电子技术复习-2016.12.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
电子技术复习-2016.12

电子技术复习 第十四章 二极管和晶体管  基本概念:了解 自由电子、空穴:均为载流子 P型半导体:掺入3 价元素 N型半导体:掺入5 价元素 多子:浓度受掺杂影响 少子:浓度受温度影响 PN结:具有单向导电性 2  二极管 1. 单向导电性:正偏、反偏 2. 导通压降:USi= 0.7V,UGe= 0.1V 3. 电路分析方法: 单管电路: 1. 断开二极管 2. 分析断开点电位高低或其压差U D 3. 若V阳 V阴,则导通,反之则截止 若U 0(0.7V) ,则导通,反之则截止 D 多管电路: 同上,但压差最大者优先导通,并钳位 3  稳压管 条件:工作在反向击穿区,Imin 电流 IZM + - 输出:UZ -- 稳压管的稳压值 4  晶体管:  放大区:e 结正偏,c 结反偏。IC =ßIB 饱和区:e、c 结正偏。ßIB ≥ IC 截止区:e 结反偏或零偏。IB = 0  模拟电路:放大区 数字电路:饱和区、截止区 5  晶体管  材料:Si--Ube = 0.7V ;Ge--Ube = 0.2V  电极:b极电位居中,e极看Ube差值  类型:NPN--c 极电位最高 PNP--c 极电位最低 6 第十五章 基本放大电路  放大电路分析 步骤:先静后动!静态是动态的基础!  静态:由直流通路求 IBQ 、ICQ 、UCEQ 直流通路画法:C开路,u = 0 ; i  动态:由微变等效电路求 A 、r 、r u i o 交流通路画法:C短路,UCC为交流地。 微变等效电路:交流通路中晶体管用模 型替代 8  共射放大电路 1.类型:固定偏置、分压式偏置 2 .特点:Au 0,输入输出反相;电压放大倍数较高 3. 动态参数: βR  A 

文档评论(0)

yaocen + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档