厚薄膜材料与器件新型半导体薄膜材料及器件.pptVIP

第四章 新型半导体薄膜材料及器件 新型半导体薄膜材料以非晶硅、微晶硅及多晶硅薄膜为代表，在发光、存储、传感、显示、能源等领域有广泛的用途。 新型半导体薄膜器件正向高效率、长寿命、低价格、高集成等方向发展。 新型半导体薄膜器件的发展以微电子学微基础。 第一节 硅基非晶态半导体薄膜 非晶硅（amorphous silicon）简称a-Si，是当前非晶半导体材料及器件研究的重点和核心。 其可用作大面积、高效率太阳能电池材料，大屏幕液晶显示器和平面显示器，a-Si传感器和摄像管，非晶电致发光器件等。 对非晶半导体的研究不仅在新材料、新器件和新工艺方面具有重要意义，而且对进一步认识固体理论中的许多问题也会产生深远影响。 特点 结构上，非晶半导体的组成原子排列呈长程无序状态，但原子间的键合力十分类似于晶体，即其结构上表现为长程无序、短程有序。因而在能带结构上是定域化的，即电子的迁移率变得十分小，室温下电阻率很高。 可通过改变组分实现物性的连续变化，包括密度、相变温度、电导率、禁带宽度等。 在热力学上处于亚稳态，在一定条件下可转变为晶态。 材料结构、电学及光学性质都十分灵敏地依赖于制备条件与制备方法，因而性能重复性较差。 物理性能各向同性，无周期性结构约束。 容易形成大面积均一性好的薄膜。 a-Si中一般存在大量氢，常称氢化非晶硅，(a-Si:H) Study by Fluctuati