热生长氧化硅膜.pptVIP

4.8　氧化层厚度测量方法 台阶法：腐蚀部分SiO2膜得到台阶，然后用电镜或显微镜观测得到膜厚。 光学法：包括椭偏光法和干涉法。 电学测量：包括电压击穿法和电容－电压法等。 4.9　氧化系统 高压氧化系统 普通氧化系统 氧化炉实物图 预清洗 装载硅片 氧化 N2退火 冷却 栅氧化步骤 在O2和HCl混合气氛中，1100 ℃下60分钟的氧化炉清洗，然后用N2吹扫，并降温到800 ℃。 在O2和N2混合气氛中装载硅片。 在O2和HCl混合气氛中，1000 ℃下进行氧化。 1050 ℃，N2下进行退火以减少氧化层固定电荷。 800 ℃以下再拉出硅片。 4.10　二氧化硅的扩散掩蔽作用 实现扩散掩蔽对杂质扩散系数的要求： 杂质在二氧化硅中的扩散系数要小； 杂质在硅中的扩散系数要大。 杂质镓和铝在二氧化硅中的扩散系数比在硅中大数百倍，而硼、磷、砷在二氧化硅中的扩散系数比在硅中小，所以二氧化硅可用于硼、磷、砷等杂质的扩散掩蔽，而不能用于镓、铝的扩散掩蔽。镓、铝可以采用氮化硅作为掩蔽膜。 4.11　硅的局部氧化（LOCOS）（local oxidation of silicon） 当需要在硅片上进行局部氧化时，一般用氮化硅作掩蔽膜，因为致密的氮化硅能阻挡氧和水。 由于硅氧化成二氧化硅后体积会膨胀，所以窗口会形成高度约为0.55tox的台阶，而Si3N4膜受上述台阶的影响会翘起，形成所谓的“