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用霍尔效应改进只读存储器
2017/1/5
用霍尔效应改进只读存储器
信院一班
刘林
P
content
1.传统的只读存储器的类型与简介 2.用霍尔效应改进后的
只读存储器的简介
主要内容
3.改进后的存储器所需的B与电 4.走向应用亟待解决的问题
流I的大小的关系的计算
1
2017/1/5
半导体存储器简介
半导体存储器是一种能够储存大量二值信息的
电子器件，在存储功能上分为只读存储器（ROM）
和随机存储器（RAM）。
一.传统只读存储器的类型与简介
2
2017/1/5
1.只读存储器的分类
掩膜ROM
可编程的ROM
光可擦除的ROM
可编程可擦除的ROM
电信号可擦除的ROM
2.只读存储器（ROM）的基本结构
ROM的结构包括存储
矩阵，地址译码器与输
出电路组成，其中存储
矩阵中的元件的类型决
定了只读存储器的类型
（二极管
双极型三极管
在存储矩阵中改变电子元 MOS管）。
件的分布就可以将不同的地址
译码器中的最小项以与的形式
输出。
3
2017/1/5
3.掩膜存储器，紫外线，电信号擦除的存储器
二.用霍尔效应改进后的ROM的简介
4
2017/1/5
1.改进后的掩膜存储器
←金属层
←二氧化硅层
←PN结
←二氧化硅层
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