硅单晶切割片和研磨片讨论稿-中国有色金属标准质量信息网.DOC

前 言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 12965-2005《硅单晶切割片和研磨片》。本标准与GB/T 12965－2005相比，主要有如下变动： 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：有研半导体材料有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。 本标准主要起草人：孙燕、卢立延、贺东江。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 12965-1991、GB/T 12965-1996、GB/T 12965-2005。 硅单晶切割片和研磨片 范围 本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、要求、检验方法，检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书等。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200mm的圆形硅单晶切割片或研磨片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导体器件，或进一步加工成抛光片。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621 硅抛光片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测试方法 GB/T 12962 硅单晶 GB/T 12964 硅单晶抛光片 GB/T 13387 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T 29507 硅片平整度、厚度和总厚度变化测试方法 术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 产品分类 牌号 硅片的牌号表示应符合GB/T 14844的规定。 分类 硅片按导电类型分为n型，p型两种类型，按硅单晶生长方法分为直拉（CZ）、悬浮区熔（FZ）两种规格。 规格 硅片按直径分为(50.8mm、(76.2mm、(100mm、(125mm、(150mm、和(200mm六种规格。 非标准直径要求由供需双方协商提供。 要求 物理性能参数 硅片的导电类型、掺杂剂、电阻率及径向电阻率变化、少数载流子寿命、氧、碳含量应符合GB/T 12962的规定。 几何参数 硅片的几何参数应符合表1的规定。 切割片、研磨片的参数规格在表1中没有列出的，按供需双方协商提供。 硅片几何参数 产品 名称 硅片直径，mm 50.8 76.2 100 125 150 200 直径允许偏差，mm ±0.4 ±0.5 ±0.5 ±0.3 ±0.3 ±0.2 切 割 片 硅片厚度，中心点，μm ≥260 ≥220 ≥340 ≥400 ≥500 ≥600 厚度允许偏差， μm ±15 ±15 ±15 ±15 ±15 ±15 总厚度变化，μm，不大于 10 10 10 10 10 10 翘曲度， μm ，不大于 20 20 30 30 40 40 崩边mm 不大于 0.5 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 研 磨 片 硅片厚度，中心点，μm ≥180 ≥180 ≥200 ≥250 ≥300 ≥500 厚度允许偏差， μm ±10 ±10 ±10 ±15 ±15 ±15 总厚度变化， μm，不大于 3 5 5 5 5 5 翘曲度， μm，不大于 20 20 30 40 50 50 崩边，mm 不大于 未倒角 0.5 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 倒角 0.3 主参考面长度，mm 16.0±2.0 22.5±2.5 32.5±2.5 42.5±2.5 57.5±2.5 57.5±2.5 副参考面长度，mm 8.0±2.0