氨气流量对GaN纳米线生长及性能的影响.pdfVIP

勤 锨 材 料 垫!!生笙!期(41)卷 氨气流量对GaN纳米线生长及性能的影响。 曹玉萍，薛成山，石 锋，孙海波，刘文军，郭永福 (山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所，山东济南250014) 摘 要： 利用磁控溅射技术在Si衬底上沉积 Ga20。／Co薄膜，然后在不同氨气流量下于950℃退火 底上沉积Co缓冲层，溅射时间为10s，溅射电压 15min。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜 200V；然后采用射频磁控溅射技术在Co缓冲层上沉 (SEM)、傅立叶红外吸收(FTIR)光谱、高分辨透射电 子显微镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行了 后将溅射好的Ga：O。／Co薄膜样品放入管式石英炉的 分析表征。结果表明，氨气流量对GaN纳米线的生长 恒温区中于950℃在流动的氨气中退火。氨化时，先 及性能有很大影响。简单讨论了GaN纳米线的生长 通氮气5min以赶走管式炉中驻留的空气，然后通氨气 机理。 关键词：GaN；纳米线；氨气流量；溅射；生长机制 氨化时间15min。 中图分类号：TN304．23 文献标识码：A 文章编号：1001—9731(2010)02—0264—04 I 引 言 TECNAI一20， 描电子显微镜)、HRTEM(Philips Ⅲ一V族化合物半导体GaN，具有直接带隙宽(室 温下3．39eV)、热导率高、电子饱和迁移率高、发光效量均在室温下进行。 率高、耐高温和抗辐射等优异特点，在短波长蓝光一紫 3实验结果与讨论 外光发光器件、微波器件和大功率半导体器件等方面 3．1 有巨大的应用前景[1]。与体材料GaN相比，GaN纳米XRD分析 材料由于其特有的量子限制效应、库伦阻塞效应、以及 图1所示为不同气体流量下氨化15min后样品的 高的比表面，在光、电、磁、生物及化学等方面表现出了 更优异的性能，引起人们越来越多的关注心]。近年来， 人们尝试采用各种方法来制备一维GaN纳米材料，如 模板限制生长[3]、金属有机气相沉积(MOCVD)[4]、化薄膜在不同氨气流量下氨化15min后所得的样品的主 学气相沉积(CVD)『5]、分子柬外延(MBE)r引、磁控溅要成分为六方纤锌矿GaNr9。。 In (b)500mlln n (d)700mllmin 射法[71等。在不同生长方法中，影响GaN纳米结构生 (c)$00mffn ·GaN 长的因素也各不相同。如反应生长GaN纳米结构的 o -CoGa204 o X． 实验中，气体流量就是一个非常重要的因素。Cai 喜 M．等曾经在不同气体流量下通过Ga与NH。的反应 了行