水热法生长方式对ZnO纳米棒阵列结构和性能的影响.pdfVIP

第33卷第2期 影像科学与光化学 v01．33No．2 1Q!i生i旦 !坐篁i望墨墅堡垒堡!型旦b旦!旦些!坐堕型 塑!!：!!Q!! 水热法生长方式对ZnO纳米棒阵列 结构和性能的影响 张美林1‘3，金 峰1，郑美玲1，刘 洁1，段宣明1‘2+ (1．中国科学院理化技术研究所，北京100190；2．中国科学院重庆绿色智能技术研究院，重庆400714； 3．中国科学院大学，北京lo0049) 摘要：本文系统地比较了三种方式制备的Zn()纳米棒阵列的结构和性能的异同。根据水热 法生长液中碱来源的不同，Zn()纳米棒阵列的生长方式分为三种：N方式(氨水)、H方式(六次 甲基四胺)和NH方式(两次N方式和一次H方式)。通过扫描电子显微镜，对这三种方式生长 的Zn()纳米棒阵列形貌进行了表征。此外，利用X射线衍射仪、透射电子显微镜和激光拉曼光 体质量HNHN。NH方式综合N方式和H方式的优势，得到了取向性和晶体质量优良的 Zn()纳米棒阵列。这将为在进一步应用中有效地选择Zn()纳米棒阵列的制备方式提供重要信息。 关键词：Zn()；水热法；纳米棒；zn()纳米棒阵列 doi：10．7517／j．issn．1674—0475．2015．02．136 文章编号：1674一0475(2015)02一0136一08 纳米材料由于具量子尺寸效应、小尺寸效应、 注。目前，Zn()纳米棒的制备方法有模板辅助 表面效应等，因而具有不同于体材料的物理和化 法[6I、热分解法[7]、微波法[8]等。在诸多制备技术 学性能。纳米材料的这些物理化学性能不仅取决 中，水热法由于具有生产成本低廉、生产条件和设 于材料的尺寸[1]、形貌[2]，而且还与其晶型有备要求简单且环保的优点，成为首选的合成方法。 关口]。Zn()作为一种重要的纳米材料，在光电器目前存在两种广泛应用的Zn()纳米棒阵列水热法 件方面有巨大的潜在应用价值，如短波长发光二 制备方式，一种采用氨水作为碱源[9]，另一种采用 极管[4]、太阳能电池∞]。一维Zn()由于其结构有六次甲基四胺作为碱源[10]，与硝酸锌反应生成 利于电子空穴的传输，从而引起科学家的广泛关 Zn()纳米棒。然而，很少有工作对这两种方式制备 2014—04—21收稿，2014一05—15录用 本学术振兴会共同研究项目(GJHZl411)资助 *通讯作者，E-mail：xmduan@mail．ipc．ac．cn 136 第2期 张美林等：水热法生长方式对Zn()纳米棒阵列结构和性能的影响 137 出来的样品进行系统地比较。 列进行表征；采用日本的Raman一11激光拉曼光谱 本文结合两种常用水热法制备方式的优点， 仪进行拉曼光谱表征。 提出一种新的生长方式(NH方式)制备Zn()纳米1．2实验过程 线，并系统地比较了不同生长方式对Zn()纳米棒1．2．1Zn()晶种层的制备 阵列的结构和性能的影响。根据水热法生长液中 旋涂晶种法-．11一：在100mI．圆底烧瓶中称取 碱来源的不同，Zn()纳米棒阵列的生长方式分为355mg mI。无 种：N方式(氨水方式)、H方式(六次甲基四胺方 水甲醇。在60℃下加热搅拌10min，直到 式)和NH方式(2次N方式和1次H方式)。通 过透射电镜、场发射扫描电镜、x射线衍射光谱 外在烧杯中加入40mgNa()H，并加入16mI。无 仪、激光拉曼光谱仪、紫外一可见分光光度计等手段 水甲醇，室温搅拌至Na()H完全溶解。将配置好 对上述三种方式生长的Zn()纳米棒阵