活性炭块诱发SiC晶须生长的研究.pdfVIP

·80· 材料导报B：研究篇 活性炭块诱发SiC晶须生长的研究’ 陈 呖1’2，乜玉强1”，乔宁1”，李 欣3 (1华北理工大学材料科学与工程学院，唐山063009；2河北省无机非金属材料重点实验室，唐山063009； 3华北理工大学建筑工程学院，唐山063009) 摘要 cm×1cm×1 以含氢硅油为前驱体，选用3种不同的活性炭块(1 cm)为基体，经交联、制粉、包埋，氩气 保护下烧结制备SiC晶须(SiCw)。对含氢硅油的交联工艺进行了研究，以正交试验法研究交联温度、保温时间、催化 剂含量、交联剂含量对含氢硅油交联程度的影响。结果表明，交联温度是影响含氢硅油交联度的主要因素；其次依次 是保温时间、催化剂含量、交联剂含量。在不同基体的诱导研究中，石墨基体表面生成的晶须较平直，另外两种基体 未见均匀分布且长直的SiC晶须生成。SiC晶须的产生是由基体的表面缺陷引发，较低温度下晶须头部液滴的存在 说明其生长机制符合v1§机制。 关键词 SiC晶须含氢硅油交联度生长机制 正交试验法 中图分类号：Tt333文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023)(．2016．14．018 ResearchonGrowthofSiCWhiskerInducedActiveCarbonBlock by CHEN Xin3 Nin91”，LI Yan91”，NIEYuqian91”，QIAO of Scienceand China ofScienceand 063009； (1 Materials University Technology，Tangshan College Engineering，North Nonmetallic ofArehiteetual 2 HebeiProvincial of Materials，Tangshan063009；3College KeyLaboratoryInorganic Scienceand 063009) China of Engineering，NorthUniversity Technology，Tangshan AbstractTheSiCwhiskerswereobtainedafter underanar— cross-linking，milling，embedding，andsintering raw threedifferentcarbonblocksassubstratesandlow-cost siliconeoil(H—PSO)as gonatmosphere，taking hydrogen