温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响.pdfVIP

3084 功 能 材 料 2004 年增刊（35 ）卷 温度及温度梯度对SiC 单晶生长的影响* 李现祥，李 娟，董 捷，王 丽，姜守振，韩荣江，徐现刚， 王继扬，胡小波, 蒋民华 （山东大学晶体材料国家重点实验室，山东 济南 250100 ） ∗ 摘 要：利用升华法在高温低压下生长大直径SiC 单 个阶段，第一高真空预处理，在这个阶段将生长室的 2 晶。通过实验发现：在相同的轴向温度梯度下，SiC 压力降为 10 nbar 级，并逐步加热除去生长室中的杂质 晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大。通过减 气体；第二高温生长，向生长室通入Ar 气，将生长室 小轴向温度梯度，降低晶体生长界面的径向过饱和度 压力控制在 5 ～100mbar，生长温度控制在 2400 ～ 分布，可以抑制多型的生长。通过优化温场的径向温 2700K ，轴向温度梯度控制在30～50K/ cm 左右，生 度梯度，利用φ50mm 的籽晶进行生长，得到了φ 长时间60～100h；第三冷却降温，降温时应当缓慢， 57mm 的SiC 单晶，实现了晶体的扩径生长。 防止由于降温过快，造成晶体应力过大。 关键词：SiC 单晶；温度及温度梯度；生长速率；多 3 结果与讨论 型；扩径生长 中图分类号：O782.7 文献标识码：A 3.1 温度对SiC 单晶生长速率的影响 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 温度是升华法生长SiC 单晶的关键参数之一，直 1 引 言 接影响单晶的生长速率。表 1 为5 个炉次的实验参数 和生长速率的结果，通过比较可以发现：在相同的轴 SiC 是继第一代Si 和第二代GaAs 之后的第三代 向温度梯度下，随着籽晶温度的提高，晶体的生长速 半导体材料，它具有宽禁带、高热导、高电子饱和迁 率会变大。 移速率、高击穿电场等性质，可以用作基于 GaN 的 表 1 5 个炉次的实验参数和生长速率的结果 蓝色发光二极管的衬底材料，特别适合于制造高温、 Table 1 The parameters and results of five experiments 高频、高功率、抗辐射、抗腐蚀的电子器件，可广泛 炉 次 1 2 3 4 5 应用于固体照明、航空航天、通讯、海洋勘探、地震 籽晶平均 2450 2490 2550 2500 2660 预报、石油钻井、汽车电子化等重要领域。但是SiC 温度(K) 单晶生长需要在高温密闭的环境中进行，条件苛刻， 轴向温梯 30 30 30 30 30 不易控制，并且生长过程中易产生微管、多型等缺陷。 (K/ cm) 能否获得高质量的SiC 单晶材料，成为制约SiC 半导