溶胶-凝胶法制备c轴取向生长ZnO薄膜.pdfVIP

肖宗湖等：溶胶一凝胶法制备f轴取向生长Zn0薄膜 溶胶一凝胶法制备c轴取向生长ZnO薄膜。 。肖宗湖，张 萌 (南昌大学材料科学与工程学院，江西南昌330031) 摘要： 采用sol—gel法，在普通栽玻片上使用旋转响。 涂覆技术生长了具有f轴择优取向生长的ZnO薄膜。 2实验 采用热分析、XRD、sEM等手段对薄膜样品进行了表 征。热分析结果表明，二水醋酸锌一乙醇胺一乙二醇甲 2．1溶液的合成 醚体系sol-gel的热分解过程与纯二水合乙酸锌的分 在溶胶一凝胶技术中，前驱体、溶剂、催化剂以及稳 解过程大相径庭。ZnO薄膜的s01一gel分解趋于在较定剂的选择关系到溶液的合成和薄膜的最终质量。本 窄的温度范围内一步完成。样品在XRD图谱中表现 实验选择锌的可溶性有机盐二水合乙酸锌(Zn 出明显的c轴择优取向。此外，SEM照片也表明：ZnO 薄膜样品中间区域和边缘区域的表面形貌相差甚远。 探讨了预热处理温度、退火温度等工艺条件对ZnO薄 膜的结构性能的影响，最佳的预热处理温度被认为在 解于乙二醇甲醚中，再加入与二水合乙酸锌等摩尔的 ZnO相完全生成温度附近。 乙醇胺，在60℃经3h的充分搅拌后，形成锌离子浓度 关键词： ZnO薄膜；溶胶一凝胶法；旋转涂覆技术；c轴 为O．8mol／L的透明均质溶液。此溶胶系统可以在室 取向 温下放置一周以上仍然稳定。本实验所用试剂均为分 中图分类号： 0484 文献标识码：A 析纯。 文章编号：1001—9731(2007)12—2015一032．2薄膜的制备 实验采用旋转涂覆技术制备薄膜，衬底为普通载 1 引 言 氧化锌(Zn0)为纤锌矿结构的宽禁带直接带隙 Ⅱ一Ⅵ族半导体材料，具有优异的光学、电学、机械性能 和化学稳定性、热稳定性[1】。由于ZnO具有60meV备较厚的薄膜，上述过程重复8次。最后在500℃的 激子束缚能(室温的热离化能为26meV)以及很强的高温下热处理2h。 紫外受激辐射，在短波长发光器件方面如LEDs、LDs2．3薄膜的分析与测试 具有很大的发展潜力[2]，成为继GaN后在宽禁带半导 用DSC／TGA同步热分析仪分析了此溶胶系统的 体领域又一研究热点。此外，氧化锌薄膜在表面声波 热处理过程，采用X射线衍射(XRD)分析了不同热处 (SAW)、太阳能电池、气敏和压敏元件、液晶显示 理温度下ZnO薄膜样品的结构，X射线特征谱线为 等[3^]领域也得到了较为广泛的应用。因此，ZnO是 一种极具开发前途和应用价值的半导体材料。 ． ZnO薄膜样品的表面形貌。 目前，许多薄膜制备技术可以用于ZnO薄膜的生 3结果与讨论 长，包括化学气相沉积(CVD)，磁控溅射(magnetron laser 3．1 sputtering)，脉冲激光沉积(pulseddeposition)，ZnO薄膜的溶胶一凝胶的热分析 有喷雾热分解(spraypyrolysis)，溶胶一凝胶法(sol— beam epitaxvy)等[5~朝。 gel)、分子束外延(molecular 溶胶一凝胶法因具有成膜均匀性好，与村底附着力强， 98．3℃为峰值的吸热峰。相应的TGA曲线上有 易于原子级掺杂，可精确控制掺杂水平等优点，而且无 需真空设备，工艺简单，而受到薄膜研究人员的广泛注 意。本文采用溶胶一凝胶法在普通载玻片上使用旋转 为峰值的吸热峰，为乙酸锌的熔融峰，这是由于乙酸锌 涂覆技术生长了结晶质量高、c轴取向性好的ZnO薄从固态转变为液态的熔化过程中吸热造成的。在熔化 膜，着重研究了热处理温度对ZnO薄膜晶体结