第四章 多晶硅清洗工艺.pptVIP

多晶硅清洗工艺江苏林洋新能源有限公司2007年8月15日 摘要 1 概述 2 一次清洗（扩散前清洗） 3二次清洗（去磷硅玻璃清洗） 4 各溶液的浓度检测 5 安全注意事项 1 太阳能电池片生产工艺流程： 概述 2.1一次清洗的目的： 一次清洗 c 形成孔状绒面 一次清洗 2.2 一次清洗设备 一次清洗 碱洗槽：KOH溶液，主要中和残留在硅片表面的酸，也可能 发生下列化学反应： 3.1 二次清洗的目的： 3.2 二次清洗设备 二次清洗设备与一次清洗基本相同，都是由德国 RENA公司研制生产。 3.3二次清洗的工艺流程： 在二次清洗过程中，HF对二氧化硅的腐蚀发生如下反应： SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2O HNO3主要是用来刻蚀硅片边缘处的P-N结的，相当于等离子刻蚀。 溶液中加入H2SO4的目的是增大溶液的黏度，使溶液与硅片更好的接触。 4 各溶液的浓度检测 4.1 检测设备 生产过程中使用的各种溶液的浓度，是根据酸碱滴定原理自动进行检测的。我们使用的检测设备，是由德国生产的Metrohm检测仪。它可以根据我们的需要，对各种溶液进行实时监控。 4.5 各种溶液的浓度要求 一次清洗： KOH：正常30g/L；允许范围：25~50g/L HF: 正常50g/L；允许范围：40~60g/L HCl: 正常100g/L；允许范围：80~120g/L 二次清洗： KOH：正常范围：30~50g/L HF：正常范围：40~60g/L 溶液浓度检测 * * * * * * * 分选测试 PECVD 一次清洗 二次清洗 烧结 印刷电极 刻蚀 检验入库 扩散 a.清除硅片表面的油类分子及金属杂质。b.去除切片时在硅片表面产生的损伤层。 硅片 机械损伤层（10微米） 图2 多晶硅表面损伤层去除 图3a 单晶硅片表面的 金字塔状绒面 图3b 多晶硅片表面的 孔状绒面 图3b 多晶硅片表面的孔状绒面 制备绒面的目的及机理： 减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。 解释机理： 当光入射到一定角度的斜面或粗糙的表面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。 图5 绒面减少反射的机理 一次清洗 一次清洗设备的主要组成： 清洗主体、传送滚轮、抽风系统、冷却系统和PLC电控及操作系统。 设备所需动力及其他： 电源：380/220V，60Hz 控制电压：24V 直流电源 额定电流：29 A 冷却功率：10KW DI水：压力4 bar 工水：压力3 bar 压缩空气：压力4-6kg/cm2，流量50m3/h。 环境要求：空气温度5-40℃，相对湿度：＜80%。 满足的工艺节拍要求： 正常速度（0.8m/min)且标准间距(15mm)：1400片/小时。 一次清洗 硅片检验 上料 input 下料 output 检验 刻蚀槽 etch bath 2.3一次清洗工艺流程： 图8 一次清洗工艺流程 干燥1： dry 1 漂洗槽1 rinse 1 碱洗槽 alkaline bath 漂洗2 rinse 2 酸洗槽 acidic bath 漂洗槽3 rinse 3 干燥2 dry 2 一次清洗 2.4一次清洗各槽位腐蚀原理 刻蚀槽：HF-HNO3溶液，去除表面油污、切割损伤层以及制 备绒面；反应如下： Si+2HNO3+6HF = H2[SiF6]+2HNO2+2H2O 3Si+4HNO3+18HF = 3H2[SiF6]+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF = 3H2[SiF6]+2NO+4H2O+3H2 5Si+6HNO3+30HF =5H2[SiF6]+2NO2+4NO+10H2O+3H2 一次清洗 Si+2KOH+H2O =K2SiO3+2H2 酸洗槽：HF去除硅片在清洗过程中形成的很薄的SiO2层，反 应如下： SiO2+6HF = H2[SiF6