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材料的导电性能1.霍尔效应电子电导的特征是具有霍尔效应。置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势差，这种现象称霍尔效应。形成的电场EH，称为霍尔场。表征霍尔场的物理参数称为霍尔系数，定义为：RH=EH/JxB0霍尔系数RH有如下表达式：表示霍尔效应的强弱霍尔系数只与金属中自由电子密度有关。2.金属的导电机制1.利用量子自由电子理论导出电导率表达式：σ=nefe2lF/m*vF（nef：单位体积内实际参加传导过程的电子数；e：电子电量；lF：费米面附近电子平均自由程；m*：电子的有效质量，它是考虑晶体点阵对电场作用的结果；vF：费米面附近电子平均运动速度）此式不仅适用于金属，也适用于非金属。能完整地反映晶体导电的物理本质。2.量子力学可以证明，当电子波在绝对零度下通过一个完整的晶体点阵时，它将不受散射而无阻碍的传播，这时电阻为零。只有在晶体点阵完整性遭到破坏的地方，电子波才受到散射(不相干散射)，这就会产生电阻——金属产生电阻的根本原因。由于温度引起的离子运动(热振动)振幅的变化(通常用振幅的均方值表示)，以及晶体中异类原子、位错、点缺陷等都会使理想晶体点阵的周期性遭到破坏。这样，电子波在这些地方发生散射而产生电阻，降低导电性。3.马西森定律金属和合金中不但含有杂质和合金元素，而且还有晶体缺陷，散射系数应该由两部分组成μ=μT+Δμ（散射系数μT与温度成正比，Δμ与杂质浓度成正比，与温度无关）注：理想金属的电阻对应着两种散射机制：声子散射和电子散射，可以看成为基本电阻，这个电阻在绝对零度时为零，在有缺陷的晶体中可以发生电子在杂质和缺陷上的散射，这是绝对零度下金属残余电阻。把金属的电阻看成由金属的基本电阻ρL(T)和残余电阻ρ?组成，这就是马西森定律（Matthissen Rule），用下式表示：ρ=ρ’+ρ（T）（ρ?是与杂质浓度、点缺陷和位错有关的电阻率。ρ(T)是与温度有关的电阻率。）当处于高温时，金属的电阻主要由ρ(T)项起主导作用，在低温时，ρ?是主要的。我们把在极低温度（一般为4.2K）下测得的金属电阻率称为金属剩余电阻率。4.电阻率与温度的关系金属的温度愈高，电阻也愈大。若以ρ0和ρt表示金属在0 ℃和T℃温度下的电阻率，则电阻与温度关系为:ρT=ρ0（1+αT）在t 温度下金属的电阻温度系数：αT=(dρ/dT)(1/ρT) (1/℃)在低温下“电子-电子”散射对电阻的贡献是显著的，但除了最低的温度以外，在所有温度下大多数金属的电阻都取决于“电子-声子” 散射。必须指出点阵的热振动在不同温区存在差异。因而金属电阻率在不同温度范围与温度变化关系是不同的（根据德拜理论，原子热运动的特征在两个温度区域存在本质的差别，划分这两个区域的温度θD称为德拜温度或特征温度）在温度T2/3 θD 时，ρ(t) =αT 当温度T θD 时 ρ(t)?T5在极低温度（2K）时 ρ(t)?T2（电子—电子之间的散射构成了电阻产生的主要机制）a.通常金属熔化时电阻增高1.5~2倍。因为熔化是金属原子规则排列遭到破坏，从而增强了对电子的散射，电阻增加。但也有反常，如锑随温度升高，电阻也增加，熔化时电阻反常地下降了，原因是在熔化时，由共价键结合变化为金属键结合。b.过渡金属的电阻与温度的关系经常出现反常，特别是具有铁磁性的金属在发生磁性转变时，电阻出现反常。5.电阻率与压力的关系在流体静压压缩时，大多数金属的电阻率下降。（在巨大的流体静压条件下，金属原子间距缩小，内部缺陷形态、电子结构、费密能和能带结构都将发生变化）在流体静压下金属的电阻率可用下式计算：ρp=ρ0（1+φP）（ρ0表示在真空条件下的电阻率；p表示压力；φ是压力系数(负值10-5~10-6 )）正常金属是指随压力增大，金属的电阻率下降，反之为反常金属。正常金属：铁、钴、镍、钯、铂等反常金属：碱土金属和稀土金属的大部分大压力下可使绝缘体半导体金属超导体6.缺陷对电阻率的影响不同类型的缺陷对电阻率的影响程度不同。非别用1%原子空位浓度或1%原子间隙浓度、单位体积中位错线的单位长度、单位体积中晶界的单位面积所引起的电阻率变化来表征点缺陷、线缺陷、面缺陷对金属电阻率的影响。空位和间隙原子对剩余电阻率的影响和金属杂质原子的影响相似。点缺陷所引起的剩余电阻率变化远比线缺陷的影响大。（判断）空位引起的附加电阻率：Δρ=Ae-E/kT（E为空位形成能；T为淬火温度；A为常数。）对大多数金属，当变形量不大时，位错引起的电阻率变化量与位错密度呈线性关系。7.固溶体的电阻率（1）形成固溶体时电阻率的变化（会论述）当形成固溶体时，合金导电性能降低。在溶剂晶格中溶入溶质原于时，溶剂的晶格发生扭曲畸变，破坏了晶格势场的周期性，从而