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TO220F形式MOSFET封装工艺技术 摘要：我司目前生产的MOSFET封装产品基本采用TO220F形式，本文针对MOSFET产品特点对TO220F形式封装要求，详细阐述关键工艺流程、关键材料、可靠性实验方法等。 0 引言 MOSFET是英文Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管。 1.2 MOSFET的分类 a.按照沟道导电载流子的极性，分为N沟道和P沟道：N沟道为电子，P沟道为空穴。 b.按照转移特性曲线，分为增强型和耗尽型：VGS=0时截止，漏极电流近似等于零的器件是增强型；VGS=0时导通，漏极电流不等于零的器件是耗尽型。 我司生产的2N60、4N60等产品就是属于N沟道增强型高压功率MOSFET。 2 MOSFET产品封装的工艺控制 2.1 静电防护 MOSFET 对静电敏感Wafer Dicing 粘片：Die Bonding 焊线：Wire Bonding 和最后的切筋分粒成为单个器件后的每一个过程中，所有相关设备必须接地导通，人员如果进行手工操作时必须佩戴防静电手环并接地。 2.2 焊线（Wire Bonding）工艺条件控制 根据不同产品电性参数的不同，我们在芯片焊线中对G极和S极采用不同线径的铝线进行超声波压焊，以下对比3种类似产品的电参数于铝丝线径之间的关系 表1. 产品25℃下极限参数与线径关系 参数\型号 2N60 4N60 7N60 单位 VDS 600 600 600 V VGS ±30 ±30 ±30 V ID 2.0 4.0 7.0 A PD 23 33 48 W ΦG 5 5 5 mil ΦS 5 10 10 mil 图3.MOSFET芯片与焊线示意图 由于在焊线过程中，铝线的硬度比较金线高出很多，而芯片表面铝层的厚度一般只有几微米。所以我们在设定焊线机工作条件中，不能像金线那样只考虑焊点的牢固程度和焊点的推拉力及残留量，还应重点考虑焊点对底下硅层的损伤（俗称“弹坑”），在保证焊点牢固的情况下应尽量减低条件。 表2：我司关于线径与焊线条件实验数据对比 线径（mil）\条件 压力 振动功率 5 190 35% 8 200 32% 10 210 30% 依据以上工作条件，既可以保证焊点的牢固程度，又可以确保不造成芯片底下硅层的破损，所以基本可以总结为 在铝线线径Φ在4mil~15mil范围内，随着线径的增大，须适当增大焊线压力，减少振动功率。 2.3 塑封（plastic molding）材料选取与工艺控制 塑封料的选取 根据热阻计算公式 ΔT=P*(RJC+Rca) RJC表示芯片到外壳的热阻，Rca表示外壳到外界的热阻 ΔT=TJ-TC 一般TC设为25℃常数 带入此种塑封料的TJ实际值 所以ΔT= TJ-25 所以在实际的工作中，同样功率下使用热阻更少的制作工艺可以使实际工作温度更低。 参照表1中的极限功率即可计算出我们需要的塑封料所能达到的热阻 表3.我司常用Kl系列塑封料主要参数一览表 型号 固化时间 TJ 导热系数 电阻率 s ℃ W/m.K Ω 1000-3NP 12-26 155 1.25 2*10E-15 3000-FF 15-25 155 0.75 5*10E-15 4500-HT 17-25 140 0.9 4*10E-15 5000-1 20-38 135 1.46 5*10E-15 通过实际生产总结并实验测试，最终确定使用KL-5000-1型号塑封料作为MOSFET产品的生产材料，这样可以使得产品在同样的TJ下最大限度提高功率。 封装内部的控制 由于采取TO220F即全包封形式封装，所以使得产品的框架（Leadframe）在顶部无法用一根横向的连筋把一条20PCS器件一起固定，产生一个实际生产问题，无法保证框架在塑封后相对于塑封体的上下位置。 下面以实际图例来说明 图4. TO220F框架（Leadframe）图、实际产品图、侧面解剖图 侧面解剖图中A的大小既是框架背面到塑封体背面的举例A 这个距离A一般控制在0.5mm最佳，如果太小会厚度不够而导致绝缘性能不足；如果太大会厚度过大而导致散热性能不足。 我们采取先正向轻微整形，再反向限位的方法来解决这一问题 图5.整形限位示意图 这样通过先整形使器件先往一个方向偏移，在利用固定长度的限位针使头部全部到达同一位置，保证了A的一致性。 3. 产品的可靠性实验 为确保产品的可靠性，我们需要做以下一系列实验后再对产品进行电参数测试 项 目 标准和条件 标准：JESD22-A13-D 级别：Level3/IR-Reflow 温度：250+0/-5℃ 持续时间：3个周期 高温储存寿命试验