锗单晶电阻率直流四探针测量方法-中国有色金属标准质量信息网.docVIP

前 言 本标准是以GB/T5251-85《锗单晶电阻率直流四探针测量方法》为基础，并参照了SEMI MF43-0705和GB/T××××-××××《硅单晶电阻率测定 直排四探针法》。 本标准与GB/T1552-1995相比，主要有如下变动： 本标准从原来的《硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法》将锗单晶电阻率测定四探针法分离出来变成《锗单晶电阻率直流四探针测量方法》。 本标准在原GB/T5251-85标准的基础上进行修订。增加了大直径锗单晶的测量部位和点数规定，删除了原标准6.3章节中不满足边界条件的修正曲线，改为用函数表。 本标准格式按GB/T1.1-2000《标准化工作导则》的要求进行了切合实际的修改、补充和完善。 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准由南京锗厂有限责任公司负责起草。 本标准主要起草人：张莉萍 焦欣文 本标准代替的历次版本发布情况为： GB/T5251-85和GB/T1552-1995。锗单晶电阻率直流四探针测量方法 范围 本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。 本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的硅、锗单晶圆片（简称圆片）的电阻