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维普资讯 第 26卷 第 1期 半 导 体 学 报 Vo1．26 NO．1 2005年 1月 CHINESEjoURNALOFSEMICONDUCTORS Jan．，2005 llGHzCMOS环形压控振荡器设计* 王雪艳 朱 恩 熊明珍 王志功 (东南大学射频与光电集成电路研究所，南京 210096) 摘要：设计了一种全差分高速环形压控振荡器 (VCO)．该 VCO有三级 ，每一级的增益是快慢通路增益的矢量叠加 和，快慢通路的增益由底部电流源决定，差分控制电压通过镜像电流源控制快慢通路的各 自电流，最终实现对振荡 频率的调节．分析了VCO的工作原理及其相位噪声．电路采用 TSMC公司0．18rn标准CMOS工艺制作 ． 测试结 果显示：芯片工作频率为 10．88～11．72GHz，相位噪声为一101dBc／Hz@10MHz，输出信号抖动为 3．8psrms，在 1·8V电源电压下的直流功耗约为75mW．该 VCO可以应用于锁相环和频率合成器中． 关键词：压控振荡器；相位噪声；射频电路 EEACC：1230B 中图分类号 ：TN752 文献标识码 ：A 文章编号 ：0253—4177(2005)01—0187—05 1 引言 2 电路结构 设计的VCO系统框图如图 1所示，整个系统 压控振荡器被广泛应用于通信系统电路中，例 包括三级延迟、可控镜像电流源、两级输出缓冲和偏 如锁相环、频率综合器 以及时钟产生和时钟恢复电 置电路．全部采用全差分、全对称的电路结构，级与 路．常见VCO的实现形式有LC振荡器和环形振荡 级之间直接耦合．前一级输出缓冲用于增加 VcO 器．在GHz频段上，LC振荡器的噪声性能优于环形 驱动负载电容的能力，后一级输出缓冲用于消除信 振荡器_1]．在标准 CMOS工艺 中为了防止栓锁效 号反射而造成的功率损耗，增加传输效率，实现5OQ 应，硅衬底多为高掺杂，而当频率达到 1OGHz以上 传输线匹配．两级输出缓冲均采用源级耦合差分对 时，由于衬底的高掺杂，电感高频损失增加．主要表 构成．偏置电路包括高值电阻分压结构和有源器件 现为导电率较低的电感在高频下产生的 “趋肤效 分压结构，分别用于控制输入端的内偏置和电路中 应”_2和 “涡流效应,,Eel严重，使其 自谐振频率和 Q 的电流源偏置． 值急剧下降．目前国内外已报道的研究成果中能达 到 10GHz以上的多采用一些先进工艺，如 0．13,／m CMOS，GaAs，GeSi[3j，Bipolar_4]，以及非标准的低 掺杂衬底来实现，但无法与现有CMOS工艺兼容， 而现有 CMOS工艺实现的电路速度又 比较低 ]． 因此，采用低成本、低功耗、易集成且易寻求代工服 务的标准CMOS工艺设计高速通信集成电路，既是 图1 VCO系统框图 市场的需要 ，也是研究的重点． Fig．1 V