电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材-中国有色金属标准质量信息网.doc

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电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材-中国有色金属标准质量信息网

前 言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草制定。 本标准由全国有色金属标准化技术委员 本标准负责起草单位:宁波江丰电子材料股份有限公司,有研亿金新材料有限公司,株洲凯特实业有限公司。 本标准主要起草人: 电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材 范围 本规范适用于电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材,以下简称高纯钨及钨合金靶。 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 GB/T 1031 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 表面粗糙度参数及其数值 GB/T 1804 一般公差 未注公差的线性和角度尺寸的公差 GB/T 3850 致密烧结金属材料与硬质合金密度测定方法 GB/T 6394 金属平均晶粒度测定方法 GB/T 14265 金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则 YS/T 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法 YS/T 90 要求 产品分类 按外形分,主要为圆形、矩形和异形(如三角形等)。 靶材的背板可包括铜及铜合金、铝及铝合金等。 根据合金材料不同,可分为纯钨靶、钨钛合金靶、钨硅合金靶三种靶材。 按牌号分类,可分为W-99.999、WTi-99.9、WTi-99.95、WTi-99.99、WTi-99.995、WTi-99.999、WSi-99.99、WSi-99.999。 牌号表示方法和标记示例如下: 示例:纯度为99.999%的高纯钨靶,表示为W-99.999。 化学成分 高纯钨靶的成分及杂质元素要求应符合表1规定,高纯钨钛靶的成分及杂质元素要求应符合表2规定,高纯钨硅靶的成分及杂质元素要求应符合表3规定。 表1. 高纯钨靶的化学成分表 牌号 非气体杂质含量//10-6 不大于 W-99.999 Al B Bi Ca Co Cr Cu Fe Mn 1 0.1 0.1 0.5 0.5 1 1 1 0.5 Ni Pb Sn Zn Ti Li Na K Si 1 0.1 1 0.5 0.5 0.5 0.1 0.1 0.5 F U Th 0.1 0.0005 0.0005 气体杂质含量//10-6 不大于 C N O H S 50 50 100 100 10 注:钨的质量分数为100%减去表中非气体杂质实测质量分数总和的余量(不含C、N、O、H、S) 表2. 高纯钨钛靶牌号及对应的化学成分表 规格元素 WTi-99.9 WTi-99.95 WTi-99.99 WTi-99.995 WTi-99.999 纯度/%不小于 99.9 99.95 99.99 99.995 99.999 合金元素/% W 余量 Ti 5-25 非气体杂质含量/10-6 不大于 Al 20 15 10 5 3 Ca 10 5 3 2 1 Cr 15 10 6 5 3 Cu 5 5 1 1 1 Fe 100 50 30 15 5 Mg 10 5 1 1 1 Mn 30 20 15 5 3 Mo 10 5 3 2 2 Ni 10 10 5 5 2 Si 10 10 5 3 2 Zr 10 5 3 2 2 V 10 5 3 1 1 Li 1 1 0.01 0.01 0.01 Na 1 1 1 1 0.07 K 1 1 1 1 0.07 P 5 5 3 2.5 2 F 5 3 0.1 0.1 0.1 Cl 10 5 3 1.5 1.5 U 0.01 0.01 0.002 0.002 0.001 Th 0.01 0.01 0.002 0.002 0.001 表2(续) 气体杂质含量/10-6 不大于 C 100 100 100 50 50 N 100 100 50 50 50 O 1500 1500 1000 800 800 H 100 100 50 50 50 S 20 10 5 2.5 2 杂质总含量 (不包含C、N、O 、H、S)/ /10-6 不大于 1000 500 100 50 10 注:钨钛的质量分数为100%减去表中非气体杂质实测质量分数总和的余量(不含C、N、O、H、S) 表3. 高纯钨硅靶牌号及对应的化学成分表 牌号 规格元素 WSi-99.999 纯度/ %不小于 99.99 99.999 合金元素/% W 余量 Si 20-40 非气体杂质含量/10-6 不大于 Al 6 1 Cr 5 1 Cu 2 1 Fe 5 1 Ni 5 1 Na 2 0.05 K 2 0.05 U 0.003 0.001 Th 0.003 0.001 气体杂质含量/10-6

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