BlueLED制程整合.PDF

Blue LED製程整合 指導老師：許進明 老師 報告學生：方若恩 4A0L0084 Outline  Blue LED簡介  結構  製程  參考資料 Blue LED簡介  1986 年利用 MOCVD 磊晶低溫緩衝層，成功地成長透明、沒有 表面崩裂的 GaN 薄膜 。且進一步由 X-ray 繞射光譜、光激光譜 - PL 等量測結果，驗證了加入低溫 緩衝層後所磊晶的 GaN 薄膜， 具有完美的晶格排列。  1989 年成功磊晶出p-GaN 薄膜，日本 Akasaki 研究團隊利用低 能量電子束照射 GaN 薄膜，並藉此獲得低電阻特性，同時他們也 成功地製作出具有 p-n 接面之藍光 LED 。  1992 年日本 Nichia 公司（日本日亞化學公司）的中村修二博士， 使用熱退火技術成功地活化磊晶在低溫緩衝層上的 GaN薄膜，並 在 1995 年研製出高亮度 GaN 藍光與綠光 LED 。  1996 年中村修二博士又提出利用 InGaN 藍光 LED （波長460 nm~470 nm ）激發產生黃色螢光物質之白光 LED 。 1 Blue LED簡介 上游 單晶棒單晶片結構設計磊晶片 成品：單晶片、磊晶片 金屬蒸鍍光罩蝕刻熱處理(P,N電極製作) 中游 切割崩裂 成品：晶粒 晶粒黏著打線樹脂封裝剪腳 下游 成品：Lamp 、數字/ 字元、表面黏著式、點 矩陣型、集束型、module 2 結構  (一)垂直式  (三) 覆晶式(Flip-Chip)  (二)水平式（傳統型） 3 製程  藍寶石晶體生長製成 長晶 掏棒 滾磨 晶檢 晶棒 4 製程  藍寶石晶體加工製成 晶棒定向 基板 切片 研磨 導角 拋光 清洗 晶檢 5 製程-磊晶製程 有機金屬氣象沉積(MOCVD) 原理：利用在反應爐中通入欲 化合元素與有機根所形成的氣 體，使其在基板產生化學反應 並形成想得到的材料與薄膜。 6 溫度在再提升950℃ 成長40nm 的p-AlGaN 和100nm 厚的p-GaN 層 溫度降低至730℃ 沉積InGaN/GaN 量子井主動層(5 對)(3nm/20nm) 再升溫至1090℃成長3μm 的n-GaN 長30nm 的GaN 緩衝層(530℃) 首先(0001)面的藍寶石加熱至1100 度(10 分鐘) 以去除表面任何髒污 7 製程-晶粒前段製程