BiFeO多铁薄膜掺杂改性研究进展-表面技术.PDF

第44卷摇 第5期 摇 摇 摇 表面技术 摇 摇 2015年05月 SURFACE TECHNOLOGY ·83 · 試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試 BiFeO 多铁薄膜掺杂改性研究进展 3 张玉,雷天宇,任红,孙远洋,蔡苇,符春林 (重庆科技学院 冶金与材料工程学院,重庆401331) 摘摇 要:铁酸铋是目前发现的唯一的室温单相多铁性的材料,其禁带宽度较小,剩余极化强度较大,居里 温度较高,在光电器件、自旋电子器件、铁电随机存储器、磁电存储单元等领域有着广阔的应用前景。 但 铁酸铋薄膜存在漏电流较大、磁电耦合性较弱等问题,制约了在实际中的应用。 离子掺杂具有操作方便、 易于实现薄膜的微结构及性能调控等优点,因而受到广泛关注。 综述了国内外近年来关于铁酸铋薄膜电 性能掺杂改性的相关工作,阐述了不同种类的掺杂,包括A位(三价镧系元素与二价碱金属元素)、B位 (过渡金属元素等)以及AB位共掺杂,同时根据掺杂对铁酸铋薄膜的漏电流、铁电性以及介电性能的影 响,对A位掺杂和B位掺杂中的元素进行了分类,系统总结了各类元素掺杂改性的效果及其机理。 最 后,提出了铁酸铋薄膜亟待解决的问题。 关键词:铁酸铋;薄膜;漏电流;铁电性;掺杂改良 中图分类号:O484.4摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 文章编号:1001鄄3660(2015)05鄄0083鄄08 DOI:10.16490/ j.cnki.issn.1001鄄3660.2015.05.016 Research Progress in Doping Modification of the Bismuth Ferrite Thin Film ZHANG Yu,LEI Tian鄄yu,REN Hong,SUN Yuan鄄yang,CAI Wei,FUChun鄄lin (School of Metallurgy and Materials Engineering,Chongqing University of Science and Technology,Chongqing401331,China) ABSTRACT:Bismuth ferriteistheonly singlephasemultiferroicmaterial atroomtemperature. It hasbroadapplicationprospects in thefields of optoelectronic devices,spin electric devices,ferroelectric random access memories,magnetoelectric memory be鄄 cause of its narrow band gap,large remnant polarization and highferroelectric Curietemperature. However,the practical applica鄄 tion of bismuth ferritethinfilms islargely limited dueto high leakage current andweak magnetic coupling. Ion doping isthe most popular method becauseof itssimplicity,easytoadjustmicrostructureandproperties. Thispaperreviewedtheresearchprogressin doping modification of the electrical properties of bismuthferritethinfilmsinrecentyearsandthe different typesof doping,inclu鄄 ding A鄄site (trivalent Lanthani